Способ получения соединений алкоксида индия, соединения алкоксида индия, получаемые согласно способу, и их применение - RU2016101945A
Код документа: RU2016101945A
Формула
1. Соединение алкоксида индия,
получаемое путем реакции
тригалогенида индия InX3 ,где X = F, Cl, Br, I,
со вторичным амином формулы R‘2NH, где R‘ = алкил,
в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия,
в присутствии спирта общей формулы ROH, где R = алкил.
2. Соединение алкоксида индия по п. 1, отличающееся тем, что оно может быть получено способом, при котором вторичный амин присутствует в молярном соотношении от 8:1 до 15:1, предпочтительно от 8:1 до 12:1, по отношению к тригалогениду индия.
3. Соединение общей формулы
[In6(O)(OR)12X6]2-Amz (ROH)x,
где R = алкил, X = F, Cl, Br, I, A = катион, z = валентность катиона, m∙z = 2, и x = 0-10.
4. Соединение по п. 3, отличающееся тем, что оно имеет общую формулу [In6(O)(OMe)12Cl6]2-[NH2R2]+2 (MeOH)2.
5. Способ получения соединений алкоксида индия, при котором
обеспечивают реагирование тригалогенида индия InX3, где X = F, Cl, Br, I,
со вторичным амином формулы R'2NH, где R' = алкил,
в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия,
в присутствии спирта общей формулы ROH, где R = алкил.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что молярное соотношение составляет от 8:1 до 15:1, предпочтительно от 8:1 до 12:1.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что вначале загружают тригалогенид индия в спирт ROH и добавляют вторичный амин в газообразном виде, в жидком виде или растворенным в растворителе.
8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что добавляют диалкиламин со скоростью от 0,5 до 5 моль в час на моль InX3.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что реакционную смесь после добавления всех компонентов нагревают до температуры от 40 до 70°C в течение периода от 1 до 10 ч.
10. Способ по любому из пп. 5-9, отличающийся тем, что образованное соединение алкоксида индия отделяют от других составляющих реакционной композиции и перекристаллизовывают.
11. Применение соединения по любому из пп. 1-4 для получения содержащих оксид индия покрытий.
12. Применение соединения по любому из пп. 1-4 для получения полупроводящих или проводящих слоев для электронных компонентов, в частности, для производства тонкопленочных транзисторов, диодов или солнечных элементов.
