Структура подложки и способ ее изготовления - RU2016111694A
Код документа: RU2016111694A
Формула
1. Структура подложки, содержащая
подложку; и
гибридные органические/неорганические тонкие пленки, расположенные друг над другом на подложке, при этом гибридные органические/неорганические тонкие пленки представлены следующей формулой 1:
где m является 1 или более,
R1 представляет собой замещенный или незамещенный С1-20 алкил, С5-20циклоалкил, или арил или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, которое составляет 5-60,
М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, и W,
X и Y каждый выбирают из группы, состоящей из О, S, N, NH, и СО, и один из X или Y представляет собой S.
2. Структура подложки по п. 1, где толщина гибридных органических/неорганических тонких пленок составляет от 1 до 500
.
3. Структура подложки по п. 1, где в случае, когда начальная толщина гибридных органических/неорганических тонких пленок принимается за d0 и толщина гибридных органических/неорганических тонких пленок после выдерживания в условиях стандартной температуры и давления на протяжении n часов принимается за dn, выполняется следующее соотношение:
0≤(dn/d0)≤0,1(0≤n≤240).
4. Структура подложки, содержащая функциональные тонкие пленки, которые включают гибридные органические/неорганические тонкие пленки по п. 1, и дополнительно содержащая слой оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, и W, который образован на или под гибридными органическими/неорганическими тонкими пленками.
5. Структура подложки по п. 4, где толщина слоя оксида металла составляет от 100 до 2000
.
6. Структура подложки по п. 4, где в случае, когда начальная толщина структуры подложки принимается за D0 и толщина структуры подложки после выдерживания в условиях стандартной температуры и давления на протяжении n часов принимается за Dn, выполняется следующее соотношение:
0≤(Dn/D0)≤0,1(0≤n≤240).
7. Структура подложки по п. 1 или 4, где подложка представляет собой проводящую и прозрачную подложку, выбранную из группы, состоящей из ITO, FTO, ZnO, AZO, CdO, и TiO2.
8. Структура подложки по п. 1 или 4, где подложка представляет собой полимерную подложку, выбранную из группы, состоящей из фторполимерной смолы, сложного полиэфира, полиакрилата, полиамида, полиимида, и поликарбоната.
9. Светоизлучающее изделие, содержащее структуру подложки по п. 1.
10. Дисплей, содержащий структуру подложки по пункту 1.
11. Фотоэлектрическое устройство, содержащее структуру подложки по п. 1.
12. Способ изготовления структуры подложки по п. 1, при этом способ содержит:
(1) образование неорганического молекулярного слоя на поверхности подложки, применяя первое соединение прекурсора, представленное следующей формулой 2:
где М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, Cd, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, W, In, Ga, Al, и Tl,
n определяется в соответствии со степенью окисления металла М, и
R21-R2n каждая независимо представляют собой С1-20 алкил, С1-20 алкоксид, хлоридную группу, гидроксильную группу, оксигидроксидную группу, нитратную группу, карбонатную группу, ацетатную группу или оксалатную группу); и
(2) образование органического молекулярного слоя на неорганическом молекулярном слое с помощью реакции второго соединения прекурсора, представленного следующей формулой 3, с неорганическим молекулярным слоем:
где R3 представляет собой водород, COR6, С1-20 алкил, С5-20 циклоалкил, или арил или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, которое составляет 5-60,
R4 представляет собой С1-20 алкил, С5-20 циклоалкил, или арил, или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, которое составляет 5-60,
R5 представляет собой по меньшей мере группу, выбранную из группы, состоящей из гидроксильной группы, С1-20 алкоксигруппы, простой эфирной группы, карбоксильной группы, COR6, тиольной группы и аминогруппы, и
R6 представляет собой по меньшей мере группу, выбранную из группы, состоящей из водорода, алкоксигруппы, простой эфирной группы, карбоксильной группы, тиольной группы и аминогруппы).
13. Способ изготовления структуры подложки по п. 12, где второе соединение прекурсора представлено следующей формулой 4:
где Z представляет собой тиольную группу, Q представляет собой группу, выбранную из тиольной группы или гидроксильной группы, и Z и Q находятся в орто-, мета- или параположении.
14. Способ изготовления структуры подложки по п. 13, где второе соединение прекурсора представлено следующей формулой 5:
15. Способ изготовления структуры подложки по п. 13, где второе соединение прекурсора представлено следующей формулой 6:
16. Способ изготовления структуры подложки по п. 12, отличающийся тем, что дополнительно включает стадию несколько раз проводимой стадии (1) и стадии (2).
17. Способ изготовления структуры подложки по п. 12, отличающийся тем, что до проведения стадии (1) дополнительно включает стадию образования слоя оксида на поверхности подложки.
18. Способ изготовления структуры подложки, содержащей функциональные тонкие пленки по п. 12, при этом способ дополнительно включает стадию (3) образования слоя оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, и W, с помощью атомно-слоевого осаждения.
19. Способ изготовления структуры подложки по п. 12, отличающийся тем, что стадию (1) и стадию (2) проводят повторно n1 раза (где n1 является 1 или больше), и затем повторно n2 раза (где n2 является 1 или больше) проводят стадию (3).
20. Способ изготовления структуры подложки по п. 19, отличающийся тем, что стадию (1) - стадию (3) проводят несколько раз.
