Органический полупроводниковый материал, органический полупроводниковый состав, органическая тонкая пленка, полевой транзистор и способ их получения - RU2012134704A

Реферат

1. Органический полупроводниковый материал, содержащий соединение, представленное формулой (1), и соединение, представленное формулой (2):в котором Rи Rнезависимо представляют собой незамещенную или замещенную галогеном группу С1-С36 алифатического углеводорода; ив котором Ar, Arи Arнезависимо представляют собой замещенную или незамещенную группу ароматического углеводорода, и n представляет собой целое число 6 или больше.2. Органический полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что:Ar, Arи Arв формуле (2) независимо представляют собой фенильную группу, замещенную атомом водорода, атомом галогена, С1-С12 алкильной группой, С1-С12 алкоксильной группой, С1-С12 галогеналкильной группой, С1-С12 галогеналкоксильной группой или цианогруппой; имолекулярный вес соединения, представленного формулой (2), составляет 5000 или больше.3. Органический полупроводниковый материал по п.2, отличающийся тем, что соединение, представленное формулой (2), представляет собой соединение с молекулярным весом 5000 или больше и представлено формулой (3):где по меньшей мере один из R, Rи Rпредставляет собой атом галогена, С1-С4 алкильную группу, С1-С4 алкоксильную группу, С1-С4 галогеналкильную группу, С1-С4 галогеналкоксильную группу или цианогруппу; а другой (-ие) независимо представляет собой атом водорода, атом галогена, С1-С4 алкильную группу, С1-С4 алкоксильную группу, С1-С4 галогеналкильную группу, С1-С4 галогеналкоксильную группу или цианогруппу; и m представляет собой целое число 10 или больше.4. Органический полупроводниковый материал по п.3, отличающийся тем, что по меньшей мере один из R, Rи Rв формуле (3) представляет собой метальную группу, трифторметильну