Способ и установка для вскрытия поверхности интегральной схемы - RU2009128992A

Реферат

1. Способ вскрытия интегральной схемы путем абляции полимерной оболочки, первоначально покрывающей интегральную схему, характеризующийся тем, что включает комбинированное воздействие лазерным лучом и плазмой на оболочку, первоначально покрывающую интегральную схему, при этом комбинирование воздействие осуществляют в одном и том же замкнутом пространстве (16). ! 2. Способ по п.1, в котором сначала выполняют этап (72) воздействия лазерным излучением, затем этап (74) воздействия плазмой. ! 3. Способ по п.2, в котором этап (74) воздействия плазмой инициируют в то время, когда на интегральную схему по-прежнему действуют лазерным излучением. ! 4. Способ по п.2 или 3, в котором лазерное излучение применяют (72) до тех пор, пока толщина остаточного полимерного слоя над интегральной схемой не составит от 50 до 200 мкм. ! 5. Способ по п.2, характеризующийся тем, что содержит две последовательные фазы обработки сначала лазерным излучением, затем плазмой. ! 6. Способ по п.2, в котором воздействие лазерным излучением осуществляют в то время, когда на интегральную схему воздействуют плазмой. ! 7. Способ по п.2, характеризующийся тем, что содержит этап нагнетания газового потока на поверхность интегральной схемы с целью удаления остаточных частиц, присутствующих на интегральной схеме. ! 8. Способ по п.2, в котором плазма является плазмой в вакууме. ! 9. Способ по п.2, в котором плазма является атмосферной плазмой. ! 10. Способ по п.2, в котором плазма содержит кислород и тетрафторид углерода. ! 11. Способ по п.2, характеризующийся тем, что содержит предварительный этап создания вакуума в замкнутом пространстве (16), при этом в указанном замкнутом пространстве (