Химическое осаждение из паровой фазы при атмосферном давлении - RU2007105817A

Реферат

1. Способ нанесения покрытия на подложку при атмосферном давлении, включающий следующие операции:

испарение практически при атмосферном давлении контролируемой массы полупроводникового материала внутри нагретого потока инертного газа для получения текучей смеси, температура которой превышает температуру конденсации полупроводникового материала;

направление текучей смеси практически при атмосферном давлении на подложку, температура которой находится ниже температуры конденсации полупроводникового материала; и

осаждение слоя полупроводникового материала на поверхность подложки.

2. Способ по п.1, в котором полупроводниковый материал включает сульфид кадмия или теллурид кадмия.

3. Способ по п.1, в котором инертный газ представляет собой азот.

4. Способ по п.1, в котором температура текучей смеси находится в диапазоне приблизительно от 800 до 1100°.

5. Способ по п.1, в котором подложка включает стекло.

6. Способ по п.5, в котором на стекло нанесено прозрачное, электропроводящее покрытие, имеющее низкую излучательную (эмиссионную) способность.

7. Способ по п.1, в котором температура подложки находится в диапазоне приблизительно от 585 до 650°.

8. Способ по п.1, в котором операции испарения, направления и осаждения повторяют по меньшей мере один раз с целью осаждения по меньшей мере одного дополнительного слоя полупроводникового материала на подложку.

9. Способ нанесения покрытия на подложку при атмосферном давлении, включающий следующие операции:

испарение практически при атмосферном давлении контролируемой массы полупроводникового материала, включающего сульфид кадмия или теллурид кадмия, внутри нагретого потока газообразного азота, для получения текучей смеси, температура которой находится в диапазоне приблизительно от 800 до 1100°;

направление текучей смеси практически при атмосферном давлении на стеклянную подложку, на которую нанесено прозрачное, электропроводящее покрытие, имеющее низкую излучательную (эмиссионную) способность, находящуюся при температуре в диапазоне приблизительно от 585 до 650°; и

осаждение слоя полупроводникового материала на поверхность подложки.

10. Способ по п.9, в котором операции испарения, направления и осаждения повторяют по меньшей мере один раз с целью осаждения по меньшей мере одного дополнительного слоя полупроводникового материала на подложку.

11. Способ нанесения покрытия на подложку при атмосферном давлении, включающий следующие операции:

испарение практически при атмосферном давлении контролируемой массы полупроводникового материала, включающего сульфид кадмия или теллурид кадмия, внутри нагретого потока газообразного азота, для получения текучей смеси, температура которой находится в диапазоне приблизительно от 800 до 1100°;

направление текучей смеси практически при атмосферном давлении на стеклянную подложку, на которую нанесено прозрачное, электропроводящее покрытие, имеющее низкую излучательную (эмиссионную) способность, находящуюся при температуре в диапазоне приблизительно от 585 до 650°;

осаждение слоя полупроводникового материала на поверхность подложки; и

повторение операций испарения, направления и осаждения по меньшей мере один раз с целью осаждения по меньшей мере одного дополнительного слоя полупроводникового материала на подложку.