Фотогальваническое устройство (варианты), наночастица и способ формирования полупроводниковых наночастиц - RU2012131848A

Реферат

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:первый светопередающий электрод,первый полупроводниковый слой в прямом электрическом контакте суказанным первым электродом,второй полупроводниковый слой в прямом электрическом контакте суказанным первым полупроводниковым слоеми содержащий светопоглощающие наночастицы, и второй электрод впрямом электрическом контакте с указанным вторым полупроводниковым слоем,при этом указанные первый и второй полупроводниковые слои формируют переход между ними, по меньшей мере, одна сторона которого, в основном, обеднена свободными электронами и свободными дырками, когда указанное устройство не освещено.2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый слой - электроноакцепторный слой n-типа, и указанные светопоглощающие наночастицы указанного второго полупроводникового слоя - наночастицы р-типа, в котором указанный электроноакцепторный слой n-типа и указанные наночастицы р-типа имеют запрещенные зоны достаточно больной величины, чтобы вызвать обеднение, по меньшей мере, одной стороны указанного перехода.3. Фотоэлектрическое устройство по п.2, в котором указанная запрещенная зона указанного электроноакцепторного слоя n-типа больше указанной запрещенной зоны указанного слоя светопоглощающих наночастиц р-типа, по меньшей мере, на 1,5 эВ.4. Фотоэлектрическое устройство по п.2, в котором указанная запрещенная зона указанного электроноакцепторного слоя n-типа больше указанной запрещенной зоны указанного слоя светопоглощающих наночастиц р-типа от около 1,5 эВ до около 5 эВ.5. Фотоэлектрическое устройство по п.2, в котором указанная запрещенная