Способ изготовления предварительной структуры дляmems-систем - RU2005129862A

Реферат

1. Способ формирования элемента интерференционного аппарата, причем способ содержит этапы, на которых обеспечивают подложку; наносят слой материала поддерживающей опоры поверх подложки; выполняют по шаблону слой материала поддерживающей опоры для того, чтобы сформировать по меньшей мере две поддерживающие опоры; формируют слой электродов поверх подложки после формирования по меньшей мере двух поддерживающих опор; формируют по меньшей мере первый временный слой поверх слоя электродов; и формируют механический слой поверх временного слоя, причем механический слой покрывает часть каждой из по меньшей мере двух поддерживающих опор.

2. Способ по п.1, причем материал поддерживающей опоры содержит стекло, наносимое методом центрифугирования.

3. Способ по п.1, причем материал поддерживающей опоры содержит изолятор.

4. Способ по п.3, причем изолятор содержит оксид кремния.

5. Способ по п.1, причем материал поддерживающей опоры содержит металл.

6. Способ по п.1, причем материал поддерживающей опоры содержит выравнивающий материал.

7. Способ по п.1, причем механический слой содержит отражающую поверхность.

8. Способ по п.1, причем способ дополнительно содержит этапы, на которых формируют зеркальный слой поверх слоя электродов; и выполняют по шаблону зеркальный слой для того, чтобы сформировать зеркало.

9. Способ по п.8, причем способ дополнительно содержит этапы, на которых наносят второй слой временного материала поверх зеркала; и выполняют по шаблону второй слой временного материала, формируя таким образом по меньшей мере одно отверстие в упомянутом втором слое временного материала, упомянутое отверстие расположено поверх зеркального элемента.

10. Способ по п.1, причем формирование механического слоя поверх временного слоя содержит этапы, на которых формируют выравнивающий слой поверх временного слоя; обратимо вытравливают выравнивающий слой для того, чтобы обеспечить, по существу, плоскую поверхность; и формируют механический слой поверх выравнивающего слоя.

11. Способ по п.1, причем способ дополнительно содержит этапы, на которых выполняют по шаблону механический слой, таким образом оставляя незащищенной по меньшей мере часть нижележащего слоя; и вытравливают временный слой для того, чтобы удалить упомянутый временный слой.

12. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором формируют по меньшей мере две поддерживающие опоры после формирования слоя электродов.

13. Способ по п.12, причем слой материала поддерживающей опоры наносится на слой электродов.

14. Аппарат, содержащий прозрачную подложку; слой электродов, расположенный поверх подложки; механический слой для того, чтобы подобрать размер полости интерференционного модулятора, упомянутый механический слой располагается поверх слоя электродов; и по меньшей мере две поддерживающие опоры, расположенные на упомянутой подложке для того, чтобы поддерживать упомянутый механический слой, причем упомянутые поддерживающие опоры содержат температуру отжига меньшую, чем упомянутые слои электродов.

15. Аппарат по п.14, причем механический слой содержит отражающую поверхность, обращенную к подложке.

16. Аппарат по п.14, дополнительно содержащий зеркало, в котором упомянутое зеркало располагается поверх слоя электродов, и в котором упомянутое зеркало соединено с механическим слоем.

17. Аппарат по п.14, причем поддерживающие опоры содержат стекло, наносимое методом центрифугирования.

18. Аппарат по п.17, причем поддерживающие опоры находятся в непосредственном контакте с подложкой.

19. Аппарат по п.14, причем поддерживающие опоры содержат металл.

20. Аппарат по п.14, причем поддерживающие опоры содержат изолятор.

21. Аппарат по п.14, причем поддерживающие опоры содержат выравнивающий материал.

22. Аппарат по п.14, дополнительно содержащий этап, на котором формируют по меньшей мере две поддерживающие опоры непосредственно на слое электродов.

23. Аппарат по п.14, при этом аппарат дополнительно содержит обрабатывающее устройство, электрически связанное с упомянутым слоем электродов, причем обрабатывающее устройство выполнено с возможностью обработки данных изображения; и запоминающее устройство, электрически связанное с упомянутым процессором.

24. Аппарат по п.23, при этом аппарат дополнительно содержит схему формирователя, выполненную с возможностью отправки по меньшей мере одного сигнала упомянутому слою электродов.

25. Аппарат по п.24, при этом аппарат дополнительно содержит контроллер, выполненный с возможностью отправки по меньшей мере части упомянутых данных изображения на упомянутую схему формирователя.

26. Аппарат по п.23, при этом аппарат дополнительно содержит модуль источника изображения, выполненный с возможностью отправки упомянутых данных изображения упомянутому обрабатывающему устройству.

27. Аппарат по п.26, в котором упомянутый модуль источника изображения содержит по меньшей мере один из приемника, приемопередатчика и передатчика.

28. Аппарат по п.23, при этом аппарат дополнительно содержит устройство ввода, выполненное с возможностью приема входных данных и передачи упомянутых входных данных упомянутому обрабатывающему устройству.

29. Аппарат, содержащий средство для передачи света; средство для проведения электричества, расположенное поверх упомянутого передающего средства; средство для модификации размера полости интерференционного модулятора, упомянутое модифицирующее средство расположено поверх упомянутого проводящего средства; и средство для поддержки упомянутого модифицирующего средства, упомянутое поддерживающее средство расположено на упомянутом проводящем средстве, причем упомянутое поддерживающее средство содержит материал с температурой отжига ниже, чем упомянутое проводящее средство.

30. Аппарат по п.29, причем упомянутое проводящее средство содержит подложку.

31. Аппарат по п.29, причем упомянутое проводящее средство содержит слой электродов.

32. Аппарат по п. 29, причем упомянутое проводящее средство содержит механический слой.

33. Аппарат по п.32, причем механический слой содержит отражающую поверхность, обращенную к подложке.

34. Аппарат по п.33, причем механический слой содержит отражающую поверхность, обращенную к подложке.

35. Аппарат по п.34, дополнительно содержащий зеркало, причем упомянутое зеркало располагается поверх слоя электродов, и при этом упомянутое зеркало соединено с механическим слоем.

36. Аппарат по п.29, причем упомянутое поддерживающее средство содержит по меньшей мере две поддерживающие опоры.

37. Аппарат по п.36, причем поддерживающие опоры содержат стекло, наносимое методом центрифугирования.

38. Аппарат по п.36, причем поддерживающие опоры находятся в непосредственном контакте с упомянутым проводящим средством.

39. Аппарат по п.36, причем поддерживающие опоры содержат металл.

40. Аппарат по п.35, причем поддерживающие опоры содержат изолятор.

41. Аппарат по п.35, причем поддерживающие опоры содержат выравнивающий материал.

42. Аппарат по п.36, причем поддерживающие опоры находятся в непосредственном контакте с упомянутым проводящим средством.

43. Элемент интерференционного аппарата, изготовленный способом по п.1.

44. Способ изготовления элемента интерференционного аппарата, причем способ содержит этапы, на которых обеспечивают подложку; формируют поддерживающие опоры поверх подложки; формируют слой электродов поверх подложки; наносят временный слой поверх слоя электродов; формируют механический слой поверх по меньшей мере временного слоя; формируют изолирующий слой поверх по меньшей мере части механического слоя; и формируют, по существу, недеформируемый поддерживающий слой поверх изолирующего слоя.

45. Способ по п.44, причем поддерживающие опоры содержат стекло, наносимое методом центрифугирования.

46. Способ по п.44, причем поддерживающие опоры содержат проводящий материал.

47. Способ по п.44, причем поддерживающие опоры содержат изолятор.

48. Способ по п.44, причем формирование механического слоя поверх по меньшей мере временного слоя содержит этапы на которых формируют, по существу, плоскую поверхность поверх временного слоя; и формируют механический слой поверх, по существу, плоской поверхности.

49. Способ по п.48, причем формирование, по существу, плоской поверхности поверх временного слоя содержит этапы на которых наносят слой выравнивающего материала поверх слоя временного материала; и обратимо вытравливают выравнивающий материал для того, чтобы сформировать, по существу, плоскую поверхность.

50. Способ по п.44, причем слой электродов формируется после того, как были сформированы поддерживающие опоры.

51. Способ по п.44, причем поддерживающие опоры формируются после того, как сформирован слой электродов.

52. Способ по п.51, причем формирование поддерживающих опор после формирования слоя электродов содержит этапы, на которых выполняют по шаблону слой электродов; наносят слой временного материала поверх слоя электродов; выполняют по шаблону слой временного материала для того, чтобы сформировать щели; и формируют поддерживающие опоры в щелях.

53. Способ по п.52, причем формирование поддерживающих опор в щелях содержит этапы, на которых наносят слой выравнивающего материала в щели; и подвергают выравнивающий материал воздействию температуры, достаточно высокой для отвердевания выравнивающего материала.

54. Способ по п.52, причем формирование поддерживающих опор в щелях содержит этапы, на которых наносят слой невыравнивающего материала поддерживающей опоры в щель; и выполняют по шаблону невыравнивающий материал поддерживающей опоры для того, чтобы удалить материал поддерживающей опоры вне щелей, таким образом формируют поддерживающие опоры.

55. Способ по п.54, причем способ дополнительно содержит этапы, на которых формируют механический слой поверх поддерживающих опор; и удаляют временный материал для того, чтобы позволить перемещение механического слоя относительно подложки.

56. Способ по п.55, причем формирование механического слоя поверх по меньшей мере поддерживающих опор содержит этапы, на которых наносят механический слой поверх по меньшей мере изолирующего слоя; и выполняют по шаблону механический слой.

57. Способ по п.54, причем способ дополнительно содержит этапы, на которых наносят слой изолирующего материала поверх по меньшей мере поддерживающих опор; и выполняют по шаблону изолирующий материал для того, чтобы удалить изолирующий материал, расположенный вдали от поддерживающих опор.

58. Способ по п.44, причем формирование слоя электродов поверх подложки содержит этап, на котором наносят слой ITO поверх подложки и наносят частично отражательный слой поверх ITO, и в котором поддерживающие опоры формируются поверх частично отражательного слоя.

59. Способ по п.58, причем частично отражательный слой содержит хром или сплав хрома.

60. Способ по п.44, причем формирование механического слоя поверх по меньшей мере временного слоя содержит этапы, на которых наносят механический слой поверх, по существу, плоской поверхности; и выполняют по шаблону механический слой.

61. Способ по п.60, в котором по меньшей мере часть механического слоя наносится поверх поддерживающих опор, в котором выполнение по шаблону механического слоя содержит этап, на котором выборочно удаляют части механического слоя, нанесенного поверх поддерживающих опор.

62. Способ по п.44, причем формирование изолирующего слоя поверх механического слоя содержит этапы, на которых наносят слой изолирующего материала поверх по меньшей мере части механического слоя и поддерживающих опор; и выполняют по шаблону слой изолирующего материала так, чтобы по меньшей мере смежная секция слоя изолирующего материала оставалась поверх по меньшей мере части поддерживающей опоры и по меньшей мере части механического слоя.

63. Способ по п.62, дополнительно содержащий этап, на котором вытравливают изолирующий слой для того, чтобы оставить незащищенной по меньшей мере часть нижележащих поддерживающих опор.

64. Способ по п.63, причем незащищенная часть поддерживающих опор содержат проводящий материал.

65. Способ по п.44, причем формирование, по существу, недеформируемого поддерживающего слоя поверх изолирующего слоя содержит этап, на котором наносят слой проводящего материала.

66. Способ по п.44, причем формирование, по существу, недеформируемого поддерживающего слоя поверх изолирующего слоя содержит этапы, на которых наносят слой поддерживающего материала поверх изолирующего слоя; и выполняют по шаблону слой поддерживающего материала, причем, по меньшей мере смежные секции слоя поддерживающего материала остаются поверх по меньшей мере части поддерживающих опор и по меньшей мере части механического слоя.

67. Способ по п.44, дополнительно содержит этап, на котором выполняют по шаблону изолирующий слой и недеформируемый поддерживающий слой для того, чтобы сформировать колпачковый элемент, лежащий поверх поддерживающей опоры.

68. Элемент интерференционного аппарата, изготовленный способом по п.44.

69. Аппарат, содержащий прозрачную подложку; слой электродов, расположенный поверх подложки; механический слой, расположенный поверх слоя электродов; по меньшей мере две поддерживающие опоры, расположенные поверх подложки для того, чтобы поддерживать упомянутый механический слой; недеформируемый колпачковый элемент, расположенный поверх каждой из по меньшей мере некоторых поддерживающих опор, причем упомянутый недеформируемый колпачковый элемент содержит изолирующий слой, причем изолирующий слой упомянутого недеформируемого колпачкового элемента прикреплен к упомянутому механическому слою.

70. Аппарат по п.69, причем механический слой содержит отражающую поверхность, расположенную на той же стороне механического слоя, что и подложка.

71. Аппарат по п.69, дополнительно содержащий зеркальный слой, в котором упомянутый зеркальный слой располагается поверх слоя электродов, и в котором упомянутый зеркальный слой соединен с механическим слоем.

72. Аппарат по п.71, причем изолирующий слой располагается на стороне недеформируемого колпачкового элемента, смотрящей на подложку.

73. Аппарат по п.71, причем изолирующий слой располагается на стороне недеформируемого колпачкового элемента, противоположной подложке.

74. Аппарат по п.69, причем слой электродов протягивается за поддерживающие опоры и подложку.

75. Аппарат по п.66, причем поддерживающие опоры содержат стекло, наносимое методом центрифугирования.

76. Аппарат по п.69, причем поддерживающие опоры содержат затвердевший выравнивающий материал.

77. Аппарат по п.69, причем поддерживающие опоры располагаются поверх части слоя электродов.

78. Аппарат по п.66, причем поддерживающие опоры содержат изолятор.

79. Аппарат по п.66, причем поддерживающие опоры содержат оксид кремния.

80. Аппарат по п.66, причем поддерживающие опоры содержат проводящий материал.

81. Аппарат по п.69, при этом аппарат дополнительно содержит обрабатывающее устройство, электрически связанное с упомянутым слоем электродов, обрабатывающее устройство выполнено с возможностью обработки данных изображения; и запоминающее устройство, электрически связанное с упомянутым процессором.

82. Аппарат по п.81, при этом аппарат дополнительно содержит схему формирователя, выполненную с возможностью отправки по меньшей мере одного сигнала упомянутому слою электродов.

83. Аппарат по п.82, при этом аппарат дополнительно содержит контроллер, выполненный с возможностью отправки по меньшей мере части упомянутых данных изображения на упомянутую схему формирователя.

84. Аппарат по п.81, при этом аппарат дополнительно содержит модуль источника изображения, выполненный с возможностью отправки упомянутых данных изображения упомянутому обрабатывающему устройству.

85. Аппарат по п.84, в котором упомянутый модуль источника изображения содержит по меньшей мере один из приемника, приемопередатчика и передатчика.

86. Аппарат по п. 81, при этом аппарат дополнительно содержит устройство ввода, выполненное с возможностью приема входных данных и передачи упомянутых входных данных упомянутому обрабатывающему устройству.

87. Аппарат, содержащий средство для передачи света; средство для проведения электричества, расположенное поверх упомянутого передающего средства; средство для модификации размера полости интерференционного модулятора; средство для поддержки упомянутого модифицирующего средства, упомянутое поддерживающее средство расположено поверх упомянутого передающего средства; и средство для обеспечения жесткости для упомянутого модифицирующего средства, упомянутое обеспечивающее средство расположено поверх по меньшей мере некоторых из упомянутых поддерживающих средств, упомянутое обеспечивающее средство содержит средство для изоляции, причем упомянутое изолирующее средство прикреплено к упомянутому модифицирующему средству.

88. Аппарат по п.87, причем упомянутое передающее средство содержит подложку.

89. Аппарат по п.87, причем упомянутое проводящее средство содержит слой электродов.

90. Аппарат по п.89, причем слой электродов простирается за поддерживающие опоры и подложку.

91. Аппарат по п.87, причем упомянутое поддерживающее средство содержит по меньшей мере две поддерживающие опоры.

92. Аппарат по п.91, причем поддерживающие опоры содержат стекло, наносимое методом центрифугирования.

93. Аппарат по п.91, причем поддерживающие опоры содержат затвердевший выравнивающий материал.

94. Аппарат по п.91, причем поддерживающие опоры располагаются поверх части слоя электродов.

95. Аппарат по п.91, причем поддерживающие опоры содержат изолятор.

96. Аппарат по п.91, причем поддерживающие опоры содержат оксид кремния.

97. Аппарат по п.91, причем поддерживающие опоры содержат проводящий материал.

98. Аппарат по п.87, причем упомянутое обеспечивающее средство содержит колпачковые элементы.

99. Аппарат по п.87, причем упомянутое модифицирующее средство содержит механический слой.

100. Аппарат по п.99, причем механический слой содержит отражающую поверхность, обращенную к подложке.

101. Аппарат по п.100, дополнительно содержащий зеркало, причем упомянутое зеркало располагается поверх слоя электродов, и при этом упомянутое зеркало соединено с механическим слоем.

102. Аппарат по п.87, причем упомянутое изолирующее средство содержит изолирующий слой.

103. Аппарат по п.102, причем изолирующий слой располагается на стороне упомянутого обеспечивающего средства, смотрящей на упомянутое передающее средство.

104. Аппарат по п.102, причем изолирующий слой располагается на стороне упомянутого обеспечивающего средства, противоположной упомянутому передающему средству.