Способ и устройство для защиты интерференционногомодулятора от электростатического разряда - RU2005129927A

Реферат

1. MEMS-устройство, характеризующееся тем, что содержит подвижный элемент, электрический проводник, предназначенный для переноса тока активации, который достаточен для активации подвижного элемента, элемент защиты, присоединенный к электрическому проводнику и предназначенный для по меньшей мере частичного заземления избыточного тока, переносимого электрическим проводником, при этом подвижный элемент, электрический проводник и элемент защиты интегрированы на подложке.

2. MEMS-устройство по п.1, отличающееся тем, что элемент защиты содержит диод.

3. MEMS-устройство по п.2, отличающееся тем, что диод является элементом, выбранным из группы, состоящей из встречно включенного полупроводникового стабилитрона, полупроводникового стабилитрона с низким емкостным сопротивлением, симметричного полупроводникового стабилитрона или симметричного диода с низким емкостным сопротивлением.

4. MEMS-устройство по п.2, отличающееся тем, что диод содержит множество легированных полупроводниковых слоев.

5. MEMS-устройство по п.1, отличающееся тем, что подвижный элемент, электрический проводник и элемент защиты находятся, по существу, на одном и том же уровне на подложке.

6. MEMS-устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно содержит процессор, электрически связанный по меньшей мере с одним из указанных элементов, состоящих из электрического проводника и подвижного элемента, и предназначенный для обработки данных изображения, запоминающее устройство, электрически связанное с процессором.

7. MEMS-устройство по п.6, отличающееся тем, что дополнительно содержит схему формирователя, предназначенную для направления по меньшей мере одного сигнала по меньшей мере к одному упомянутому элементу, выбранному из электрического проводника и подвижного элемента.

8. MEMS-устройство по п.7, отличающееся тем, что дополнительно содержит контроллер, предназначенный для передачи по меньшей мере части данных изображения на схему формирователя.

9. MEMS-устройство по п.6, отличающееся тем, что дополнительно содержит модуль источника изображения, предназначенный для передачи данных изображения процессору.

10. MEMS-устройство по п.9, отличающееся тем, что модуль источника изображения содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из приемника, приемопередатчика и передатчика.

11. MEMS-устройство по п.6, отличающееся тем, что дополнительно содержит устройство ввода, предназначенное для приема входных данных и передачи входных данных процессору.

12. MEMS-устройство, характеризующееся тем, что содержит средство для активации подвижного элемента, средство защиты средства активации от избыточного тока, при этом средство активации и средство защиты интегрированы на подложке.

13. MEMS-устройство по п.12, отличающееся тем, что средство активации содержит электрический проводник.

14. MEMS-устройство по п.13, отличающееся тем, что средство активации предназначено для переноса тока активации, достаточного для активации подвижного элемента.

15. MEMS-устройство по п.12, отличающееся тем, что средство защиты содержит элемент защиты, соединенный со средством активации и предназначенный для по меньшей мере частичного заземления избыточного тока.

16. MEMS-устройство по п.12, отличающееся тем, что средство защиты содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из встречно включенного полупроводникового стабилитрона, полупроводникового стабилитрона с низким емкостным сопротивлением, симметричного полупроводникового стабилитрона или симметричный диода с низким емкостным сопротивлением.

17. Интерференционный модулятор, характеризующийся тем, что содержит электрод, интегрированный с подложкой и предназначенный для переноса тока активации, элемент защиты, соединенный с электродом и предназначенный для по меньшей мере частичного заземления избыточного тока, переносимого электродом, причем элемент защиты интегрирован с подложкой.

18. Интерференционный модулятор по п.17, отличающийся тем, что элемент защиты содержит диод.

19. Интерференционный модулятор по п.18, отличающийся тем, что диод представляет собой элемент, выбранный из группы, состоящей из встречно включенного полупроводникового стабилитрона, полупроводникового стабилитрона с низким емкостным сопротивлением, симметричного полупроводникового стабилитрона или симметричного диода с низким емкостным сопротивлением.

20. Интерференционный модулятор по п.18, отличающийся тем, что диод содержит множество легированных полупроводниковых слоев.

21. Интерференционный модулятор по п.17, отличающийся тем, что электрод и элемент защиты находятся, по существу, на одном и том же уровне на подложке.

22. Интерференционный модулятор по п.17, отличающийся тем, что дополнительно содержит зеркало, прикрепленное к электроду.

23. Интерференционный модулятор по п.22, отличающийся тем, что дополнительно содержит второе зеркало, расположенное с зазором и, по существу, параллельно первому зеркалу.

24. Интерференционный модулятор по п.23, отличающийся тем, что дополнительно содержит второй электрод, прикрепленный ко второму зеркалу.

25. Интерференционный модулятор по п.24, отличающийся тем, что дополнительно содержит второй элемент защиты, присоединенный ко второму электроду и предназначенный для по меньшей мере частичного заземления второго избыточного тока, переносимого вторым электродом.

26. Интерференционный модулятор по п.25, отличающийся тем, что второй элемент защиты содержит диод.

27. Интерференционный модулятор по п.26, отличающийся тем, что диод является элементом, выбранным из группы, состоящей из встречно включенного полупроводникового стабилитрона, полупроводникового стабилитрона с низким емкостным сопротивлением, симметричного полупроводникового стабилитрона или симметричного диода с низким емкостным сопротивлением.

28. Устройство отображения, характеризующееся тем, что содержит подложку, множество интерференционных модуляторов, сформированных поверх подложки, множество элементов защиты, интегрированных с множеством интерференционных модуляторов на подложке, при этом множество элементов защиты электрически связано для по меньшей мере частичной защиты множества интерференционных модуляторов от электростатического разряда.

29. Устройство отображения по п.28, отличающееся тем, что множество элементов защиты содержит множество легированных полупроводниковых слоев.

30. Устройство отображения по п.28, отличающееся тем, что множество интерференционных модуляторов связаны линиями строк и столбцов.

31. Устройство отображения по п.30, отличающееся тем, что линии строк и столбцов соединены с множеством элементов защиты.

32. Способ изготовления устройства интерференционного модулятора, заключающийся в том, что наносят первый электродный слой на подложку, наносят удаляемый слой на первый электродный слой, наносят второй электродный слой на первый удаляемый слой, наносят множество легированных полупроводниковых слоев на подложку, формируют "земляной" слой на подложке, при этом "земляной" слой и множество легированных полупроводниковых слоев предназначены для заземления избыточного тока, переносимого по меньшей мере одним слоем, выбранным из первого электродного слоя и второго электродного слоя.

33. Способ по п.32, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором удаляют удаляемый слой.

34. Способ по п.32, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором наносят "земляной" слой на множество легированных полупроводниковых слоев.

35. Способ по п.32, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором наносят множество легированных полупроводниковых слоев на "земляной" слой.

36. Способ по п.32, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором наносят "земляной" слой у периферии подложки.

37. Интерференционный модулятор, изготовленный способом по п.32.