Плазменно-иммерсионная ионная обработка и осаждение покрытий из паровой фазы при содействии дугового разряда низкого давления - RU2014143206A

Реферат

1. Система вакуумного нанесения покрытия и плазменной обработки, содержащая: узел формирования плазмы, находящийся напротив подложки, при этом указанный узел формирования плазмы содержит:катод магнетрона с длинной кромкой, короткой кромкой и магнитный полюс, формирующие рейстрек распыления в мишени магнетрона, имеющей поверхность; при этом магнитный полюс образует электромагнитный барьер;анод, электрически соединенный с катодом магнетрона;по меньшей мере один удаленный дуговой разряд, генерируемый отдельно от катода магнетрона и вблизи мишени магнетрона, при этом удаленный дуговой разряд проходит вдоль направления, параллельного длинной кромке мишени магнетрона, и при этом удаленный дуговой разряд удерживается в пределах объема удаленного разряда вблизи мишени магнетрона, причем указанный объем удаленного разряда ограничен поверхностью мишени с одной стороны и указанным электромагнитным барьером со всех других сторон;защитный кожух катода удаленного дугового разряда, расположенный поверх дугового разряда и поперек короткой кромки катода магнетрона; изащитный кожух анода удаленного дугового разряда; магнитную систему, создающую магнитные силовые линии, которые проходят в плазму и удерживают плазму напротив указанного узла формирования плазмы и подложки; источник электрического питания катода магнетрона, подключенный к катоду магнетрона и к аноду; иисточник электрического питания удаленного дугового разряда, включенный между по меньшей мере двумя электродами удаленного дугового разряда.2. Система по п. 1, в которой катод магнетрона питается электрической энергией от источника питания постоянного тока, им