Обработка поверхности полупроводникови используемая при этом смесь - RU2005117609A

Реферат

1. Очищающий раствор для процессов обработки поверхности, в которых загрязнение металлической примесью становится неприемлемым, включающий щелочное соединение, перекись водорода, воду и 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] и/или нитрилтрехуксусную кислоту [NTA; CAS 139-13-9; Titrplex I] в качестве хелатирующей добавки(ок).

2. Очищающий раствор по п.1, отличающийся тем, что щелочное соединение выбрано из группы, состоящей из органического основания, аммиака, гидроксида аммония, гидроксида тетраметиламмония.

3. Очищающий раствор по п.1, отличающийся тем, что щелочное соединение выбрано из группы, состоящей из аммиака и гидроксида аммония.

4. Очищающий раствор по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что включает 2, 2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] в количестве в диапазоне 1000-3000 ppm.

5. Очищающий раствор по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что включает нитрилтрехуксусную кислоту [NTA; CAS 139-13-9; Titrplex I] в количестве в диапазоне 100-2000 ppm.

6. Очищающий раствор по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что включает 2, 2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] и нитрилтрехуксусную кислоту [NTA; CAS 139-13-9; Titrplex I] в общем количестве меньше, чем 4000 ppm.

7. Очищающий раствор по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что включает 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] и нитрилтрехуксусную кислоту [NTA; CAS 139-13-9; Titrplex I] в общем количестве меньше, чем 2000 ppm.

8. Способ очищения полупроводникового(ых) субстрата(ов), который включает обработку полупроводникового(ых) субстрата(ов) очищающим раствором по одному или более пп.1-7, и высушивание указанного полупроводникового(ых) субстрата(ов) после промывки водой.

9. Способ обработки по п.8, отличающийся тем, что обработку очищающим раствором выполняют при температуре в диапазоне 20-80°С.

10. Способ обработки по п.8, отличающийся тем, что обработку очищающим раствором выполняют при нормальной комнатной температуре.

11. Способ обработки по п.8, отличающийся тем, что очищающие растворы по пп.1-7 приводят в контакт с поверхностями, которые необходимо очистить, в течение времени от нескольких секунд до 60 мин.

12. Способ обработки по п.8, отличающийся тем, что очищающие растворы по пп.1-7 приводят в контакт с поверхностями, которые необходимо очистить, в течение времени от 15 с до 15 мин.

13. Способ обработки полупроводникового(ых) субстрата(ов) по одному из пп.8-12, отличающийся тем, что полупроводниковый(ые) субстрат(ы) погружают/опускают в очищающий раствор (очистка методом погружения).

14. Использование очищающих растворов по одному из пп.1-7 для процессов обработки поверхности, включая очистку, травление, полировку, пленкообразование, для очистки субстратов, таких как полупроводник, металл, стекло, керамика, пластмасса, магнитный материал, сверхпроводники.