Материал для пропитки конденсаторов - SU567179A1
Код документа: SU567179A1
Описание
(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЮПИТКИ КОНДЕНСАТОРОВ
Реферат
Формула
1
Изобретение относится к технологии изготовления
радиоаппаратуры, а именно к материалам для пропитки конденсаторов.
Известен материал для пропитки конденсаторов на основе зпоксидных и ароматических органических
соединений.
Однако известный материал является недостаточно
устойчивым к атмосферному воздействию.
Цель изобрете1шя - повышение устойчивости
материала к атмосферноглу воздействию.
Для достижения цели он в качестве ароматического
органического соединения содержит свободное от галогена ароматическое соединение и
дополнительно.содержит диарилсульфон при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %:
Диарилсульфон10,0 - 80,0
Эпоксидное соединение0,1 - 3,0
Свободное от галогена органическое соединениеОстальное.
Свободное от галогена ароматическое органическое соединение выбрано из группы, состоящей
из алкилбензола, алкилнафталина, аякилбифешша, алкариловььх сложных зфиров и их алкилзамещенНых
производных, диарилалканов и их алкилзамещенных производных, и диариловых слошп-гк
эфиров и их алкилзамещешгых производ П)1Х, в которой указаггные алкиловые н алкатах
имеют от 1 до 20 атомов углерода, причем упомянутые ариловые радикаль есть бензол, нафталин,
бифенил, потшфешш, а упомянутые поллфеншты включают от 3 до 5 фе1шловььх групп.
В качестве алкилбифенила он содержит изопропилбифенил .
Диарилсульфон представлен структурной формулой
(R)f -Ar-S-Ar
п
где Af- фениловый, нафтиловьш, индановый
радикал, R - алкиловый радикал с количеством атомов углерода от 1 до 8, п 1-3.
Причем в качестве диарнлсульфона он содержит толилк аишлсульфон.
Представителятии Д11ариловых сульфонов, охватьюаемьк приведенной структурной формулой,
являются Д1{фенилсульфон, дитолилсульфон, фенилксияилсульфон , толилкснлилсульфон, фенилтолилсульфон , индантолилсульфон, индан-динафтилсульфон , нафтклфенилсульфон, нафтилк жяилсульфон
и нафтилтолилсульфон.
К представителям свободных от галогена ароматических
соеданеюш относятся алкилбензол, алкитаафталин, алкилбифенил, алкилполифенил,
алкариловые сложные и их алкилзамещенные производные и диарнловые сложные эфиры и
их алкилзамещенные прсмзводные, в которых упомянутьв алкиловые группы н алканы имеют от 1
до 20 атомов углерода, причем упомянутые аршювые радикалы есть бензол, нафталин, бифенил или
полифенил, а упомянутые полифеншш включают от трех до пяти фениловых Групп.
Специфическими примерами таких ароматических органических соединений, свободных от галогенов
, являются Сз.4 алкилбензоциклогексилатилбензол ,) €3.4 алкилнафталин, €3-4 алкйлтетраалинизопрсяшлбифенил
, /циклогекшлбифенил, С4-4 алкилфенклэфиры, дифенилметилпентан, бе,
зилзтилбензол, дифешшзфири феноксибифенил.|
В качестве представителей зпоксидйых соедИ
нений в материале для пропитки конденсаторов могут быть использованы 1 - зпокетэтил - 1,3,4 -эпоксициклогексан
, 3,4 - эпоко - 6 - метилциклогексан карбоксил т. Эти эпоксиды содержатся в
материале в количестве от 0,1 до 3 вес.%.
Оптимальное содержание исходных компонентов
материала для про1штки конденсаторов, вес. %. Толилкошилсульфон10 - ЗО
3,4 - зпокснциклогекшлметил-1 ,3,4- зпоксиплклогексанкарбокотлат0 ,1 - 3,0
ИзопропилбифенилОстальное
Формула изобретения
1. Материал для пропитки конденсаторов на основе эпоксидных и ароматических органических
соединений, отличающийся тем, что, с велью
повь 1ие1шя устойчивости .его к атмосферному воздействию , он в качестве ароматического органического
соединения содержит свободное от галогена ароматическое соединение и дополнительно содержит
диарилсульфон при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%:
Диарилсульфон10,0 - 80,0
Эпоксидное соединение0,1 - 3,0
Свободное от галогена
органическое соединениеОстальное.
2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что свободное от галогена ароматическое органическое
соединение выбрано из группы, состоящей из алкилбензола, алкилняфталина, алкилбифенила,
алкариловых сложных зфиров и их алкш замещенных производных, диарилалканов и их алкилзамещенных
производных, диариловых сложных эфиров и их алкилзамещенных производных, в
которой указанные алкиловые грзшпы н алканы
имеют от 1 до 20 атоМов углерода, причем упомянутые
арнловые радикалы представляют собой бензол, нафталин, бифенил, полифенил, а упомянутые
полифенилы включают от трех до пята фениловых групп.
3. Материал по пп. 1 и 2, отличающийся ГСМ, что в качестве алкилбифеннла он содержит
Изопропилбифенил.
4.Материал по п. 1, о т л и ч а ю щ и и с я тем,
что диарилсульфон имеет структу 5ную формулу:
О
.-S-AP-(R.V, О
г
где АГ - фениловый,нафтиловый, индановый радикал ,.
R - алкиловый радикал с количеством атомов углерода от 1 до 8, п 1-3.
5.Материал по п. 1 и 4, отличающийся тем, что в качестве диарилсульфона он содержит
то лил ксилил сульфон.
