Осаждение и селективное удаление электропроводного вспомогательного слоя для обработки наноструктуры - RU2010138584A

Реферат

1. Способ формирования одной или нескольких наноструктур, данный способ содержит: ! осаждение электропроводного вспомогательного слоя на верхней поверхности подложки; ! выращивание одной или нескольких наноструктур на электропроводном вспомогательном слое; и ! селективное удаление электропроводного вспомогательного слоя между и вокруг одной или нескольких наноструктур с применением одной или нескольких наноструктур в качестве самосовмещающейся маски. ! 2. Способ по п.1, также содержащий стадию осаждения слоя катализатора в виде рисунка на электропроводном вспомогательном слое перед выращиванием одной или нескольких наноструктур. ! 3. Способ по п.1, в котором указанная подложка содержит электропроводный металлический нижний слой на ее указанной верхней поверхности, ! указанный электропроводный вспомогательный слой осажден таким образом, чтобы покрывать указанный металлический нижний слой. ! 4. Способ по п.3, в котором металлический нижний слой сформирован в виде рисунка. ! 5. Способ по п.3, в котором указанный металлический нижний слой изготовлен из материала, который отличается от указанного электропроводного вспомогательного слоя. ! 6. Способ по п.5, в котором указанная стадия селективного удаления электропроводного вспомогательного слоя содержит следующую стадию: ! травление с применением травителя или травящего газа, который обладает селективностью в отношении между указанным электропроводным вспомогательным слоем и указанным металлическим нижним слоем. ! 7. Способ по п.1, в котором одна или несколько наноструктур содержит углерод, GaAs, ZnO, InP, InGaAs, GaN, InGaN или Si. ! 8. Способ по п.1, в котором электропроводн�