Материал для пропитки конденсаторов - SU728737A3

Изобретение относится к технолог производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении конденсаторов. Известен материал для пропитки к денсаторов, содержащий сложный эфир ароматического ряда, эпоксидную смо лу 1 . Однако этот материал имеет недос таточное газопоглощени.) Цель изобретения - повышение газ поглощения. Для э°того материал для пропитки конденсаторов, содержащий сложный эфир ароматического ряда, эпоксидную смолу, содержит соединение из группы деценов, а именно децен или додецен, или тетрадецен, или гексадецен , или октадецен при следующем содержании ингредиентов, вес.%: Эпоксидная смола 0,01-10 Одно соединение из группы деценов 5,0 -30 Сложный эфир ароматического ряда Остальное. В качестве сложного эфира арс 1атического ряда материал может содержать диоктилфталат, бифенил, сульфон. Сложный эфир ароматического ряда содержит антиокислитель. Перед пропиткой конденсаторов пропитывающее вещество нагревают до 50- , а после пропитки конденсаторы или выдерживают при этой температуре от 8 до 16 ч или нагревают в течение такого же времени.

Пропитывающее вещество

Конденсатор

Пример 1

мкф X 290 в

Диоктилфтолат + 1% эпоксидной смолы

Эпоксидная смола 1% Децен20%

Диоктилфталат - остальП р и у е р 2

X 525 в

Диоктилфтолат + 1% эпоксидной смолы

X 525 в Эпоксидная смола 1% Гексадецегн 20% Диоктилфтолат остальПример 3 2 мкф X 660 в Диоктилфтолат + 1% эпоксидной смолы Эпоксидная смола 1% Тетрадецен 10% Диоктилфталат - оста Формула изобретения I. Материал дляпропитки конденс торов , содержащий сложный эфир аром тического ряда, эпоксидную смолу, отличающийся тем, что, целью повышения гаэопоглощения, он содержит соединение из группы децен а именно децен или додецен, или тет децен, или гексадецен, или октадеце при следующем содержании ингредиентов , .%: Эпоксидная смола 0,01-10 Одно соединение из группы деценов 5,0 -30 Сложный эфир ароматического ряда Остальное 2.-Материал по п. 1, отличающийся тем, что в качеств

Вышло из строя (испытано)

после 1000 ч на 400 в переменного тока при 100° С 18 (49)

45 (7) ное

после 1800 ч 11 (14) ное ное после 644 ч на 1000 в переменного тока при 80°С 9 (20) О (20) сложного эфира ароматического ряда он содержит Диоктилфталат. Материалпо п, 1 и п. 2, отличающийся- тем, что сложный эфир ароматического ряда содержит бифенил . 4.Материал по пп. 1 и 2, о т- чающийся тем, что сложный эфир ароматического ряда содержит сульфон. 5.Материал по п. 1-4, отличающийся тем, что сложный эфир арбматического ряда содержит антиокислитель . Источники информации, принятые во внимание.пр,и экспертизе , 1. Патент США №3754173, кл. 317-259, опублик,,1973 (прототип).