Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь - RU2011115084A

Реферат

1. Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь, содержащий: ! кремниевую подложку (209); ! полость (205); ! первый электрод (207), расположенный между кремниевой подложкой (209) и полостью (205), в котором первый электрод (207) расположен под полостью (205); ! второй электрод (203), в котором второй электрод (203) расположен над полостью (205) и напротив первого электрода (207), причем второй электрод (203) расположен в мембране, в котором первый электрод (207) и второй электрод (203) выполнены с возможностью подачи на них напряжения; и ! первый изоляционный слой (204), расположенный между первым электродом (207) и вторым электродом (203), ! отличающийся тем, что ! первый изоляционный слой (204) дополнительно содержит первый суб-слой, содержащий оксид, и второй суб-слой, содержащий нитрид. ! 2. Преобразователь по п.1, в котором изоляционный слой (204) дополнительно содержит третий суб-слой, содержащий оксид. ! 3. Преобразователь по п.1, в котором второй суб-слой расположен между первым суб-слоем и третьим суб-слоем. ! 4. Преобразователь по п.1, в котором первый изоляционный слой (204) содержит оксид толщиной по меньшей мере 5 нм. ! 5. Преобразователь по п.1, содержащий второй изоляционный слой (206), при этом второй изоляционный слой (206) расположен между вторым электродом (203) и полостью (205), первый изоляционный слой (204) расположен между первым электродом (207) и полостью (205), а второй изоляционный слой (206) содержит диэлектрик. ! 6. Преобразователь по п.1, в котором диэлектрик является слоем с высокой диэлектрической постоянной «higher-k layer», таким как слой, содержащий нитрид, оксид алюминия или оксид гафния или слой ONO. ! 7. Преобразователь по п.1, в котором давление в поло