Емкостной преобразователь, полученный микрообработкой, и способ его изготовления - RU2014134901A

Реферат

1. Способ изготовления емкостного преобразователя (100), полученного микрообработкой, в частности CMUT, причем способ содержит этапы, на которых:- осаждают первый электродный слой (10) на подложку (1),- осаждают первую диэлектрическую пленку (20) на первый электродный слой (10),- осаждают жертвенный слой (30) на первую диэлектрическую пленку (20), причем жертвенный слой (30) выполнен с возможностью удаления для формирования полости (35) преобразователя,- осаждают вторую диэлектрическую пленку (40) на жертвенный слой (30) и- осаждают второй электродный слой (50) на вторую диэлектрическую пленку (40),- формируют рисунок в, по меньшей мере, одном(й) из осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50), причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки и формирование рисунка осуществляется по нисходящей технологии.2. Способ по п. 1, в котором формирование рисунка содержит этап формирования рисунка во втором электродном слое (50).3. Способ по п. 2, в котором формирование рисунка содержит этап формирования рисунка в жертвенном слое (30) и/или первом электродном слое (10).4. Способ по п. 1, в котором в большинстве или во всех из осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50) формируют рисунок.5. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором осаждают диэлектрический слой (60), покрывающий осажденные слои и пленки (10, 20, 30, 40, 50).6. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют жертвенный слой (30) посредством обеспечения ямки (32) травления и травления жертвенного слоя (30) для формирования полости (35).7. Емкостной преобразователь (100), полученный микрообработкой, в частности CMUT, изготовленный способом по п. 1.8. Емкостной преобразователь (100), полученный микрообработкой, в частности CMUT, содерж