Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия - RU2010103510A

Реферат

1. Способ формирования датчика (800), содержащий следующие действия: ! формируют мембрану (830) поверх передней подложки (615); ! формируют пьезоэлектрический слой (820) поверх мембраны (830); ! формируют структурированный электропроводный слой, включающий в себя первый и второй электроды (840, 845), поверх активного участка (821) пьезоэлектрического слоя (820); и ! формируют структуру задней подложки, имеющую держатели (822, 824), расположенные на соседних сторонах активного участка (821). ! 2. Способ по п.1, в котором высота держателя (826) из держателей (822, 824) больше, чем комбинированная высота (828) пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя. ! 3. Способ по п.1, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия: ! формируют держатели (822, 824) на задней подложке (640); и ! закрепляют держатели (822, 824) к местам, прилегающим к активному участку (821). ! 4. Способ по п.3, в котором действие формирования держателей (822, 824) включает в себя, по меньшей мере, одно из действий: ! формируют, по меньшей мере, один электропроводный слой (650) на задней подложке (640) для формирования держателей (822, 824); и ! локально вытравливают заднюю подложку (640) между держателями (822, 824). ! 5. Способ по п.1, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия: ! формируют дополнительный слой (870) на держателях (822, 824) для увеличения толщины держателей (822, 824) за пределы общей толщины пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя, причем держатели включают в себя участки пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя; и ! устанавливают заднюю подложку (640) на до�