Способ изготовления устройства, имеющего усовершенствованную инкапсулирующую структуру для детектирования электромагнитного излучения - RU2019132072A
Код документа: RU2019132072A
Формула
1. Способ изготовления устройства (1) для детектирования электромагнитного излучения, содержащего по меньшей мере один тепловой детектор (10), лежащий на подложке (2), и одну инкапсулирующую структуру (20), ограничивающую, вместе с подложкой (2), полость (3), в которой расположен тепловой детектор (10), при этом способ включает следующие этапы:
- изготовление теплового детектора (10) из по меньшей мере одного первого жертвенного слоя (31), осажденного на подложке (2);
- создание тонкого инкапсулирующего слоя (21) инкапсулирующей структуры (20), проходящего над тепловым детектором (10) от меньшей мере одного второго жертвенного слоя (32), расположенного на первом жертвенном слое (31), причем тонкий инкапсулирующий слой (21) выполняют из инкапсулирующего материала;
- создание, путем физического осаждения из паровой фазы (PVD), тонкого герметизирующего слоя (24), покрывающего тонкий инкапсулирующий слой (21), причем тонкий герметизирующий слой (24) выполняют из герметизирующего материала, коэффициент теплового расширения которого отличается от коэффициента теплового расширения инкапсулирующего материала,
отличающийся тем, что он дополнительно включает следующий этап:
- выполнение на тонком инкапсулирующем слое (21), перед этапом создания тонкого герметизирующего слоя (24), по меньшей мере одного рельефа (23), имеющего подходящую среднюю толщину, чтобы во время осаждения тонкого герметизирующего слоя (24) последний формировался из по меньшей мере одного сегмента (24.1), расположенного на тонком инкапсулирующем слое (21), и из по меньшей мере одной площадки (24.2), отделенной от указанного сегмента (24.1) слоя и лежащей на рельефе (23), формируя, тем самым, локальный разрыв непрерывности тонкого герметизирующего слоя (24) у рельефа (23).
2. Способ по п. 1, в котором рельеф (23) образует, в ортогональной проекции относительно подложки (2), двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих тепловой детектор (10).
3. Способ по п. 2, в котором, в ортогональной проекции относительно подложки (2), решетка продольных сегментов рельефа (23) непрерывно окружает тепловой детектор (10), так что площадка (24.2) проходит непрерывно поверх решетки продольных сегментов рельефа (23) и отделена от указанного сегмента (24.1) слоя, окруженного решеткой продольных сегментов рельефа (23).
4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором тепловой детектор (10) содержит абсорбирующую мембрану (11), подвешенную над подложкой (2) и содержащую термометрический преобразователь (12), причем рельеф (23), в ортогональной проекции относительно подложки (2), расположен на расстоянии от абсорбирующей мембраны (11).
5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором тонкий герметизирующий слой (24) имеет среднюю толщину ecs, а рельеф (23) имеет среднюю толщину er, большую или равную одной пятой от средней толщины ecs.
6. Способ по любому из пп. 1-5, в котором на этапе выполнения рельефа (23) осаждают первый слой, выполненный из материала, отличающегося от материала тонкого инкапсулирующего слоя (21), с последующим локальным структурированием первого слоя путем его выборочного травления по отношению к тонкому инкапсулирующему слою (21), чтобы сформировать рельеф (23).
7. Способ по любому из пп. 1-6, в котором детектирующее устройство (1) содержит матрицу тепловых детекторов (10), размещенных в указанной полости (3), причем рельеф (23) образует двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих каждый из тепловых детекторов (10) в ортогональной проекции относительно подложки (2).
8. Способ по любому из пп. 1-7, в котором тонкий инкапсулирующий слой (21) выполняют на кремниевой основе, а тонкий герметизирующий слой (24) выполняют на германиевой основе.
9. Способ по любому из пп. 1-8, в котором тонкий герметизирующий слой (24) осаждают испарением.
10. Способ по любому из пп. 1-9, в котором изготавливают тонкий антиотражающий слой (25) путем физического осаждения из паровой фазы на тонкий герметизирующий слой (24), причем тонкий антиотражающий слой (25) имеет локальный разрыв непрерывности.
11. Способ изготовления по любому из пп. 1-10, в котором:
- между выполнением рельефа (23) и созданием тонкого герметизирующего слоя (24), формируют по меньшей мере одно сквозное отверстие, называемое выпускным отверстием (22), проходящее через тонкий инкапсулирующий слой (21),
при этом тонкий герметизирующий слой (24) затем создают таким образом, чтобы он перекрывал выпускное отверстие (22),
- удаляют жертвенные слои (31, 32) через выпускное отверстие (22).
