Код документа: RU2012108191A
1. Электронное устройство, содержащее:термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, ипо меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующую ультрафиолетовому (УФ) излучению,термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую инфракрасное (ИК) излучение, и преобразующую его в тепло, и, по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование УФ излучения.2. Электронное устройство, содержащее:термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, ипо меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующей ИК излучению,термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую ИК излучение, и преобразующую его в тепло, ипо крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобр