Способ получени  материалов на подложках - RU2001126576A

Реферат

1. Способ получения слоя кристаллического молекулярного сита, который включает следующие стадии: а) пропитку пористой подложки через по меньшей мере одну ее поверхность пропиточным материалом, который перед осаждением на подложку слоя кристаллического молекулярного сита не карбонизируют, б) гидротермическое выращивание слоя кристаллического молекулярного сита на поверхности пропитанной пористой подложки и в) практически полное удаление пропиточного материала.

2. Способ по п.1, в котором пропиточный материал представляет собой органическую смолу.

3. Способ по п.2, в котором органическая смола представляет собой углеводородную смолу.

4. Способ по п.3, в котором углеводородная смола представляет собой акриловую смолу.

5. Способ по п.3, в котором углеводородная смола представляет собой углеводородный воск.

6. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором пропиточный материал по существу заполняет поры подложки.

7. Способ по п.1, где поверхность, на которой выращивают слой кристаллического молекулярного сита, перед гидротермическим выращиванием содержит осажденные на ней затравочные кристаллы молекулярного сита и где пористую подложку пропитывают перед или после осаждения зародышей кристаллизации молекулярного сита.

8. Способ по п.7, в котором зародыши кристаллизации молекулярного сита осаждают перед пропиткой и пропиточный материал по существу заполняет поры подложки или поры подложки и поры между зародышами кристаллизации.

9. Способ по п.7 или 8, в котором зародыши кристаллизации молекулярного сита содержатся в виде дискретного слоя.

10. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором слой кристаллического молекулярного сита представляет собой молекулярное сито типа MFI.

11. Способ по п.1, в котором предпропиточное маскировочное покрытие наносят на подложку перед пропиткой с последующим удалением после пропитки удаляют.

12. Способ по п.11, в котором предпропиточный маскировочный материал представляет собой полиметилметакрилат.

13. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором пористость подложки составляет 30 об.% или больше.

14. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором кристаллическое молекулярное сито, находящееся в слое, содержит не соприкасающиеся кристаллы молекулярного сита.

15. Способ по любому из пп.1-12, в котором кристаллическое молекулярное сито, находящееся в слое, содержит соприкасающиеся кристаллы молекулярного сита.

16. Способ по любому из пп.1-13, в котором кристаллическое молекулярное сито, находящееся в слое, содержит соприкасающиеся кристаллы молекулярного сита, расположенные в виде мембраны.

17. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором пропитку проводят в течение 20 мин или больше.

18. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором пористую подложку пропитывают частично, пропитанная подложка содержит осажденные на ней зародыши кристаллизации молекулярного сита и кристаллическое молекулярное сито дериватизируют из синтезного раствора, который включает коллоидный диоксид кремния.