Корпусирование фотонно-кристаллических датчиков, предназначенных для экстремальных условий - RU2013120383A

Реферат

1. Способ герметичной запайки чипа датчика (130), отличающийся тем, что он включает в себя:металлизацию чипа датчика (130) по тороидальному шаблону; при этом тороидальный шаблон соответствует диаметру и толщине стенок коваровой трубки (140);совмещение центра чипа датчика (130) с центральной осью торца коваровой трубки (140);припайку чипа датчика (130) к торцу коваровой трубки (140) для формирования узла чипа датчика (170);металлизацию волокна (160);сборку металлической муфты (150) с металлизированным волокном (160) путем впайки металлизированного волокна (160) внутрь металлической муфты (150);ввод металлической муфты (150) внутрь коваровой трубки (140) узла чипа датчика (170);совмещение торца металлизированного волокна (160) с чипом датчика (130) узла чипа датчика (170), иприпайку наружной поверхности металлической муфты (150) к внутренней поверхности коваровой трубки (140) узла чипа датчика.2. Способ по п.1, в котором используется трехмерный инструмент ступенчатой установки для совмещения центра чипа датчика (130) с центральной осью коваровой трубки (140).3. Способ по п.1, в котором используется трехмерный инструмент ступенчатой установки для совмещения торца металлизированного волокна (160) с чипом датчика (130).4. Способ по п.1, в котором используется индукционный нагрев токами радиочастоты (РЧ) для припайки чипа датчика (130) к торцу коваровой трубки (140).5. Способ по п.1, в котором используются индукционный нагрев токами РЧ и тороидальная рамка из припоя (180) для припайки наружной поверхности металлической муфты (150) к внутренней поверхности коваровой трубки (140).6. Способ герметичной запайки чипа датчика (130), отличающийся тем, что он включает в себя:покрытие чипа датчи�