Формула
1. Насадка, позволяющая осуществить гомогенный контакт между газовой фазой и эмульсионной фазой, перемещающимися в противотоке, отличающаясятрехмерной структурой, состоящей из повторяющихся простых элементов, образованных 3 секущими плоскостями, при этом, указанный трехмерный простой элемент представляет собой сложный объем, ограниченный тремя лопастями, при этом, каждая лопасть расположена в одной плоскости, и 3 плоскости образованы таким образом, что, взятые попарно, они всегда имеют пересечение, при этом, каждая лопасть расположена в одной из секущих плоскостей, и различные простые элементы распределены в плоскости, отличной от 3 секущих плоскостей, согласно шагу в виде треугольника, и плоскость называется слоем распределения, при этом, конечная структура соответствует вертикально уложенному пакету из множества параллельных слоев распределения, и в каждом из этих слоев плотность распределения простых элементов одинакова, насадка, в которой указанные простые элементы вписываются в сетчатую структуру с шагом в виде треугольника, при этом, шаг составляет от 1 до 1,5-кратной величины минимального расстояния d, определяемого как d=(a+a·cos(60°)+b/2sin(90°- α)), где угол α означает угол, который лопасти простого элемента образуют с горизонталью и который составляет от 45° до 75°, предпочтительно, от 55° до 65°; а означает ширину лопастей, составляющую от 3 см до 30 см, предпочтительно, от 5 см до 15 см; b означает расстояние, разделяющее два последовательных слоя, составляющее от 3 см до 50 см, предпочтительно, от 6 см до 20 см, и последовательные слои таковы, что при переходе от одного слоя к следующему треугольник, образованный 3 наиболее близко расположенными простыми элементами, принадлежащими слою (N), в слое (N+1) оказывается смещенным так, что вершина треугольника слоя (N+1) располагается на месте центра окружности, вписанной в треугольник слоя (N).
2. Насадка с трехмерной структурой по п. 1, в которой шаг в виде треугольника, согласно которому распределены различные простые элементы в одном данном слое, составляет от 1,1 до 1,3-кратной величины минимального расстояния d.
3. Насадка с трехмерной структурой по одному из пп. 1-2, в которой ориентация при повороте простых элементов изменяется на угол 180° при переходе от одного слоя к следующему слою.
4. Насадка с трехмерной структурой по одному из пп. 1-3, в которой ориентация при повороте простых элементов изменяется случайным образом при переходе от одного слоя к следующему слою .
5. Насадка с трехмерной структурой по одному из пп. 1-3, в которой одновременно изменяются ориентация при повороте простых элементов и смещение треугольников, образованных 3 соседними простыми элементами, при переходе от одного слоя к следующему слою.
6. Способ каталитического крекинга с использованием насадки по любому из пп. 1-5 в качестве средства улучшения контакта между восходящей газовой фазой и нисходящей эмульсионной фазой, при этом, указанную насадку размещают внутри отгонной секции установки каталитического крекинга, и указанная отгонная секция функционирует со скоростью псевдоожижения от 10 см/с до 40 см/с.
7. Способ каталитического крекинга с использованием насадки по любому из пп. 1-5, в котором, указанную насадку размещают внутри отгонной секции установки каталитического крекинга, и указанная отгонная секция функционирует с потоком твердой фазы, обычно составляющим от 25 до 200 кг/м2·с, предпочтительно, от 50 до 150 кг/м2·с.
8. Способ каталитического крекинга с использованием насадки по любому из пп. 1-5, который представляет собой способ глубокого каталитического крекинга углеводородных остатков, именуемый DCC.
9. Способ изготовления насадки по п. 1 с использованием технологии, именуемой аддитивное производство, например, селективная лазерная плавка, селективное лазерное спекание или формования наслоением.