Способ формирования пустот в ионных кристаллах - RU2017126574A

Способ формирования пустот в ионных кристаллах KBr в котором на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10^-2÷10^-3 Па, нагревают до температуры T₁ = 450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ₁ = 5÷15 часов, после этого производится охлаждение до температуры чего Т₂ = 20÷22°С и выдержка в течение τ₂ = 2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа.