Способ и устройство для измерения толщины слоя частично кристаллизированных расплавов - RU2011129989A

Реферат

1. Способ измерения толщины слоя частично кристаллизованных расплавов на ленточном транспортере посредством магнитных полей в рамках способа непрерывной отливки полосы, причем магнитное поле формируется на одной стороне частично кристаллизованного расплава (2), и магнитное поле проникает через частично кристаллизованный расплав (2), и магнитное поле на другой стороне частично кристаллизованного расплава (2) измеряется, отличающийся тем, что спад магнитного поля на другой стороне частично кристаллизованного расплава (2) применяется для вычисления толщины слоя частично кристаллизованного расплава (2) и что для формирования магнитного поля применяются электромагнитные катушки (1) мешалки.2. Способ по п.1, причем выработанные магнитные поля имеют частоты от 500 Гц до 10000 Гц.3. Способ по п.1, причем электромагнитные катушки (1) мешалки используются с частотами менее 20 Гц, причем при работе катушек (1) мешалки возникают высшие гармоники, которые имеют частоты от 500 Гц до 10000 Гц.4. Способ по п.1, причем частоты от 500 Гц до 10000 Гц непосредственно вводятся в катушки (1) мешалки.5. Способ по п.1, причем для измерения толщины слоя применяется несколько частот между 500 Гц и 10000 Гц.6. Способ по п.1, причем несколько сенсоров (3) размещаются по ширине ленточного транспортера, чтобы получить несколько точек измерения.7. Способ по п.1, причем способ представляет собой способ непрерывной разливки тонкой полосы, причем толщина слоя частично кристаллизованного расплава (2) находится в пределах между 10 мм и 30 мм.8. Способ по любому из пп.1-7, причем поля формируются над или, по выбору, под частично кристаллизованным расплавом (2) и измеряются под или, по выбор