Код документа: RU2009123456A
1. Устройство, содержащее полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45, сформированных для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в слое прозрачного материала. ! 2. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом. ! 3. Устройство по п.1, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12. ! 4. Устройство по п.1, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше чем 50% толщины керамического тела 30. !5. Устройство по п.1, где разница между показателем преломления частиц 45 и показателем преломления прозрачного материала 36 составляет, по меньшей мере, 0,4. ! 6. Устройство по п.1, где частицы 45 выбирают из группы, состоящей из оксидов иттрия, оксидов титана, оксидов стронция и оксидов рубидия. ! 7. Устройство по п.1, где частицы 45 имеют средний диаметр от 0,5 λ до 20 λ, где λ представляет собой длину волны света, испускаемого светоизлучающей областью 31, внутри полупроводниковой структуры 12. ! 8. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла. !9. Устройство по п.1, где слой прозрачного материала 36 имее