Способ очистки подложки - RU2006130800A

Реферат

1. Способ непрерывной вакуумной очистки подложки, отличающийся тем, что:

выбирают вещество с низкой эффективностью распыления и химически активное по отношению к загрязнениям;

с помощью по меньшей мере одного линейного источника ионов генерируют плазму из газовой смеси, содержащей преимущественно это вещество с низкой эффективностью распыления, в частности, на основе кислорода;

подвергают по меньшей мере одну часть поверхности упомянутой подложки, необязательно связанную со слоем, воздействию упомянутой плазмы так, что упомянутое ионизированное вещество удаляет, по меньшей мере частично за счет химической реакции, загрязнения, возможно адсорбированные или находящиеся на упомянутой части поверхности.

2. Способ очистки по п.1, отличающийся тем, что за ним следует, без прерывания вакуума, по меньшей мере одна фаза осаждения по меньшей мере одного тонкого слоя на упомянутую часть поверхности упомянутой подложки, причем эту фазу осаждения осуществляют с помощью процесса вакуумного осаждения.

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что процесс осаждения состоит из процесса катодного распыления, в частности, усиленного магнитным полем.

4. Способ по п.2, отличающийся тем, что процесс вакуумного осаждения состоит из процесса на основе ХОПФ.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют приведение источника ионов и подложки в относительное перемещение.

6. Способ по п.2, отличающийся тем, что осуществляют приведение источника ионов и подложки в относительное перемещение.

7. Способ по п.3, отличающийся тем, что осуществляют приведение источника ионов и подложки в относительное перемещение.

8. Способ по п.4, отличающийся тем, что осуществляют приведение источника ионов и подложки в относительное перемещение.

9. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что линейный источник ионов размещают по отношению к части поверхности подложки таким образом, что средняя эффективность распыления ионизированного вещества не позволяет протекать распылению упомянутой части поверхности.

10. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что линейный источник ионов размещают внутри установки промышленного размера.

11. Способ по п.9, отличающийся тем, что линейный источник ионов размещают внутри установки промышленного размера.

12. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что линейный источник ионов генерирует коллимированный пучок ионов с энергией между 0,5 и 2,5 кэВ, предпочтительно - между 1 и 2 кэВ, в частности примерно 1,5 кэВ.

13. Способ по п.9, отличающийся тем, что линейный источник ионов генерирует коллимированный пучок ионов с энергией между 0,5 и 2,5 кэВ, предпочтительно - между 1 и 2 кэВ, в частности примерно 1,5 кэВ.

14. Способ по п.10, отличающийся тем, что линейный источник ионов генерирует коллимированный пучок ионов с энергией между 0,5 и 2,5 кэВ, предпочтительно - между 1 и 2 кэВ, в частности примерно 1,5 кэВ.

15. Способ по п.11, отличающийся тем, что линейный источник ионов генерирует коллимированный пучок ионов с энергией между 0,5 и 2,5 кэВ, предпочтительно - между 1 и 2 кэВ, в частности примерно 1,5 кэВ.

16. Способ по одному из пп.1-3 и 5-8, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

17. Способ по п.9, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

18. Способ по п.10, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

19. Способ по п.11, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

20. Способ по п.12, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

21. Способ по п.13, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

22. Способ по п.14, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

23. Способ по п.15, отличающийся тем, что его осуществляют внутри по меньшей мере одной камеры, предназначенной для осаждения тонких слоев путем вакуумного распыления, в камере откачки, или вместо и на месте катода, или в промежуточной камере, расположенной между последними, или же внутри воздушного шлюза для введения подложек.

24. Способ по одному из пп.1-8, 11, 13-15, 17-23, отличающийся тем, что одновременно или последовательно очищают две разные части поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного источника ионов.

25. Способ по п.9, отличающийся тем, что одновременно или последовательно очищают две разные части поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного источника ионов.

26. Способ по п.10, отличающийся тем, что одновременно или последовательно очищают две разные части поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного источника ионов.

27. Способ по п.12, отличающийся тем, что одновременно или последовательно очищают две разные части поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного источника ионов.

28. Способ по п.16, отличающийся тем, что одновременно или последовательно очищают две разные части поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного источника ионов.

29. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, отличающаяся тем, что эта подложка снабжена многослойным покрытием с высоким отражением по тепловому излучению, которое состоит из по меньшей мере одной последовательности по меньшей мере пяти последовательных слоев, а именно

первый слой на основе оксида металла или полупроводника, выбранного, в частности, из оксида олова, оксида титана, оксида цинка;

слой оксида металла или полупроводника, в частности, на основе оксида цинка, осажденный на первый слой;

слой серебра;

металлический слой, выбранный, в частности, среди нихрома, титана, ниобия, циркония, осажденный на слой серебра; и

верхний слой, содержащий оксид металла или полупроводник, выбранный, в частности, среди оксида олова, оксида цинка или оксида титана, осажденный на этот металлический слой.

30. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, отличающаяся тем, что подложка снабжена пакетом тонких слоев, включающим в себя чередование n функциональных слоев A со свойствами отражения по инфракрасному и/или солнечному излучению на основе, в частности, серебра, и (n+1) покрытий B, где n ≥ 1, причем упомянутые покрытия B содержат слой или суперпозицию слоев из диэлектрического материала на основе, в частности, нитрида кремния или смеси кремния и алюминия, или оксинитрида кремния, или оксида цинка, так что каждый функциональный слой A находится между двумя покрытиями B, причем пакет включает в себя также поглощающие в видимой области слои C, в частности, на основе титана, нихрома, циркония, необязательно азотированные, находящиеся над и/или под функциональным слоем.

31. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, отличающаяся тем, что подложка снабжена пакетом тонких слоев, включающим в себя чередование одного или более (n) функциональных слоев со свойствами отражения по инфракрасному и/или по солнечному излучению, в частности, по существу металлической природы, и (n+1) «покрытий», где n ≥ 1, причем упомянутый пакет состоит, с одной стороны, из одного или более слоев, включая по меньшей мере один из диэлектрического материала, в частности, на основе оксида олова или хрома-никеля, и, с другой стороны, из по меньшей мере одного функционального слоя из серебра или содержащего серебро металлического сплава, причем этот (каждый) функциональный слой находится между двумя слоями диэлектрика.

32. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, отличающаяся тем, что она содержит пакет тонких слоев, содержащий по меньшей мере одну последовательность из по меньшей мере пяти последовательных слоев, а именно:

первый слой, в частности, на основе нитрида кремния;

слой диэлектрического материала, в частности, на основе нихрома или титана, осажденный на первый слой;

функциональный слой со свойствами отражения по инфракрасному и/или солнечному излучению, в частности, на основе серебра;

металлический слой, выбранный, в частности, среди нихрома, титана, ниобия, циркония, на слое серебра; и

верхний слой на основе нитрида кремния, осажденный на этот металлический слой.

33. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, снабженная пакетом тонких слоев, воздействующим на солнечное излучение, отличающаяся тем, что упомянутый пакет содержит по меньшей мере один функциональный слой на основе частично или полностью азотированного металла, причем упомянутый металл принадлежит к группе ниобия, тантала, циркония, упомянутый функциональный слой лежит поверх по меньшей мере одного покровного слоя на основе нитрида или оксинитрида алюминия, нитрида или оксинитрида кремния, или смеси по меньшей мере двух из этих соединений, упомянутый пакет также включает в себя между упомянутой подложкой и упомянутым функциональным слоем по меньшей мере один подслой из прозрачного диэлектрического материала, в частности, выбранного среди нитрида кремния и/или алюминия, оксинитрида кремния и/или алюминия и оксида кремния.

34. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, содержащая на по меньшей мере одной из своих сторон противоотражающее покрытие, выполненное в виде пакета тонких слоев из диэлектрических материалов с попеременно высоким и низким показателями преломления, отличающаяся тем, что первый слой с высоким показателем и/или третий слой с высоким показателем являются слоями на основе оксида(ов) металла(ов), выбранного(ых) среди оксида цинка, оксида олова, оксида циркония, или на основе нитрида(ов), выбранного(ых) среди нитрида кремния и/или нитрида алюминия, или на основе смешанных оксидов олова/цинка/сурьмы, или на основе смешанного оксида кремния/титана, титана/цинка, или на основе смешанного нитрида, выбранного среди нитрида кремния и нитрида циркония, а второй слой с низким показателем и/или четвертый слой с низким показателем являются слоями на основе оксида кремния, оксинитрида и/или оксикарбида кремния или смешанного оксида кремния и алюминия.

35. Подложка, полученная путем осуществления способа по любому из пп.1-28, отличающаяся тем, что она содержит на по меньшей мере одной из своих сторон электрохимическое устройство, в частности, электрически управляемую систему типа остекления и с регулируемыми оптическими и/или энергетическими свойствами, в фотоэлектрическом устройстве или внутри электролюминесцентного устройства.

36. Подложка по любому из пп.29-35, отличающаяся тем, что она представляет собой подложку, предназначенную для автомобильной промышленности, в частности, люка автомобиля, бокового стекла, переднего стекла, заднего стекла, зеркала заднего вида, или одинарного или двойного остекления, предназначенного для зданий, в частности, внутреннего или наружного остекления зданий, витрин, прилавков магазинов, которые могут быть выпуклыми, остекления для защиты объектов типа живописи, противоослепляющего экрана компьютера, стеклянной мебели.

37. Подложка по п.36, отличающаяся тем, что она является выпуклой.