Изделия с покрытиями с низкой эмиссионной способностью с системой (системами) барьерных слоев, включающей (включающими) множественные диэлектрические слои, и/или способы их изготовления - RU2014129764A

Реферат

1. Термически обрабатываемое изделие с покрытием содержащее многослойное тонкопленочное покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие включает, в порядке удаления от стеклянной подложки:первый слой на основе кремния;первый диэлектрический слой;второй диэлектрический слой, разделенный третьим диэлектрическим слоем, так, что образуются первая и вторая части второго диэлектрического слоя;металлический или главным образом металлический отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, нанесенный поверх и находящийся в непосредственном контакте со второй частью второго диэлектрического слоя;верхний контактный слой, состоящий из оксида Ni и/или Cr, непосредственно на слое, отражающем ИК-излучение, и находящийся в контакте с ним;четвертый диэлектрический слой; ивторой слой на основе кремния,причем третий диэлектрический слой представляет собой либо оксид титана, либо оксид олова.2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый диэлектрический слой - это слой с высоким коэффициентом преломления, содержащий оксид или суб-оксид титана.3. Изделие с покрытием по п. 1, в котором третий и четвертый диэлектрические слои содержат оксид олова.4. Изделие с покрытием по п. 3, в котором второй диэлектрический слой содержит оксид цинка.5. Изделие с покрытием по п. 4, в котором второй слой разделен так, что его части обладают толщинами, отличающимися друг от друга не более чем на 5%.6. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый и второй слои на основе кремния содержат нитрид кремния, первый диэлектрический слой содержит оксид титана, второй диэлектрический слой содержит оксид цинка, третий и четвертый диэлектрические слои содержат оксид олова, а отражающий ИК-из