Покрытое изделие с последовательно активированным низкоэмиссионным покрытием и/или способ его изготовления - RU2018101894A
Код документа: RU2018101894A
Формула
1. Способ изготовления покрытого изделия, включающего в себя многослойное тонкопленочное низкоэмиссионное покрытие, поддерживаемое стеклянной подложкой, включающий:
формирование на подложке низкоэмиссионного покрытия, включающего в себя по меньшей мере первый и второй отражающие инфракрасное (ИК) излучение слои, содержащие серебро, причем каждый из первого и второго отражающих ИК излучение слоев расположен между одним или более диэлектрическими слоями, а первый отражающий ИК излучение слой отстоит дальше от подложки, чем второй отражающий ИК излучение слой; и
активирование каждого из отражающих ИК излучение слоев с использованием двухстадийной обработки, при этом
первая стадия обработки предварительно кондиционирует отражающие ИК излучение слои путем воздействия источника импульсного света в по меньшей мере первом и втором диапазонах длин волн, причем первый диапазон длин волн преимущественно передает энергию первому отражающему ИК излучение слою, а второй диапазон длин волн преимущественно передает энергию второму отражающему ИК излучение слою, и
вторая стадия обработки представляет собой термическую обработку, которую осуществляют после того, как непосредственно или опосредованно на подложке осаждены все отражающие ИК излучение слои, причем вторая стадия следует за первой стадией.
2. Способ по п. 1, при этом первая стадия обработки включает в себя фотоны с энергиями 0,82-3,55 эВ.
3. Способ по любому предшествующему пункту, при этом вторая стадия обработки включает в себя температуру 400-650 градусов Цельсия.
4. Способ по любому предшествующему пункту, при этом вторая стадия обработки включает в себя температуру 400-650 градусов Цельсия.
5. Способ по любому предшествующему пункту, при этом коэффициент эмиссии покрытия после двухстадийной обработки составляет 0,011 или менее.
6. Способ по любому предшествующему пункту, при этом:
обеспечивают первый и второй зародышевые слои под и в контакте с первым и вторым отражающими ИК излучение слоями соответственно; и
обеспечивают первый и второй защитные слои над и в контакте с первым и вторым отражающими ИК излучение слоями соответственно.
7. Способ по п. 6, при этом:
фотоны в первом диапазоне длин волн преимущественно передают энергию первому зародышевому слою, первому отражающему ИК излучение слою и/или первому защитному слою; и
фотоны во втором диапазоне длин волн преимущественно передают энергию второму зародышевому слою, второму отражающему ИК излучение слою и/или второму защитному слою.
8. Способ по п. 6, при этом:
энергия света в первом диапазоне длин волн преимущественно поглощается первым зародышевым слоем и/или первым защитным слоем и доставляется акустическими фононами к первому отражающему ИК излучение слою; и
энергия света во втором диапазоне длин волн преимущественно поглощается вторым зародышевым слоем и/или защитным слоем и доставляется акустическими фононами ко второму отражающему ИК излучение слою.
9. Способ по любому из пп. 6-8, при этом каждый из первого и второго зародышевых слоев содержит Zn, а каждый из первого и второго защитных слоев содержит Ni, Ti и/или Cr.
10. Способ по любому предшествующему пункту, при этом:
предварительное кондиционирование включает в себя переупорядочивание атомов серебра в первом и втором отражающих ИК излучение слоях в более энергетически выгодные положения; и
термическая обработка выравнивает химические потенциалы по меньшей мере некоторых слоев в наборе слоев и дополнительно уплотняет предварительно кондиционированные первый и второй отражающие ИК излучение слои.
11. Способ по любому предшествующему пункту, при этом первую стадию осуществляют всякий раз, когда непосредственно или опосредовано на подложке осажден один из отражающих ИК излучение слоев, и перед тем, как будет осажден следующий отражающий ИК излучение слой.
12. Способ по любому предшествующему пункту, при этом первый и второй диапазоны длин волн являются одинаковыми.
13. Способ по любому предшествующему пункту, при этом предварительное кондиционирование каждого из отражающих ИК излучение слоев осуществляют после того, как соответствующий отражающий ИК излучение слой покрыт упомянутыми одним или более диэлектрическими слоями.
14. Способ по любому из пп. 1-11 или 13, при этом первую стадию осуществляют после того, как осаждены все отражающие ИК излучение слои, причем первый и второй диапазоны длин волн отличаются друг от друга.
15. Способ по п. 14, при этом первый диапазон длин волн имеет максимальную интенсивность в первой области вблизи от максимальной поглощающей способности первого отражающего ИК излучение слоя, а второй диапазон длин волн имеет максимальную интенсивность во второй области, которая находится на удалении от первой области и где поглощающая способность первого отражающего ИК излучение слоя меньше, чем половина ее максимума.
16. Способ по любому из пп. 14-15, при этом первый диапазон длин волн имеет максимальную интенсивность в спектральном диапазоне 700-900 нм, а второй диапазон длин волн имеет максимальную интенсивность в спектральном диапазоне 600-700 нм.
17. Способ по любому предшествующему пункту, при этом:
низкоэмиссионное покрытие дополнительно включает в себя третий отражающий ИК излучение слой, содержащий серебро, причем третий отражающий ИК излучение слой также расположен между одним или более диэлектрическими слоями, причем третий отражающий ИК излучение слой отстоит дальше от подложки, чем первый отражающий ИК излучение слой, и
первая стадия дополнительно включает в себя воздействие источника импульсного света с третьим диапазоном длин волн, который преимущественно передает энергию третьему отражающему ИК излучение слою.
18. Способ по п. 17, при этом все из первого, второго и третьего диапазонов длин волн отличаются друг от друга и имеют соответствующие максимальные интенсивности в спектральных диапазонах 600-700 нм, 400-600 нм и 700-900 нм.
19. Способ по любому предшествующему пункту, при этом воздействия источников импульсного света, которые генерируют первый и второй диапазоны длин волн, формируют разделенными во времени субимпульсами разных волновых форм.
20. Способ по любому предшествующему пункту, при этом воздействия источников импульсного света, которые генерируют первый и второй диапазоны длин волн, формируют разными импульсными лампами.
21. Способ по любому предшествующему пункту, при этом первую стадию осуществляют после того, как осаждены все отражающие ИК излучение слои, и при этом первый отражающий ИК излучение слой предварительно кондиционируют, используя первый источник света, предусмотренный над подложкой, а второй отражающий ИК излучение слой предварительно кондиционируют, используя второй источник света, предусмотренный под подложкой.
22. Способ по любому предшествующему пункту, при этом низкоэмиссионное покрытие формируют в целом или частично распылением при комнатной температуре.
23. Способ изготовления покрытого изделия, включающего в себя многослойное тонкопленочное низкоэмиссионное покрытие, поддерживаемое стеклянной подложкой, включающий:
формирование на подложке низкоэмиссионного покрытия, включающего в себя множество отражающих инфракрасное (ИК) излучение слоев, содержащих серебро и осажденных распылением при комнатной температуре, причем каждый из отражающих ИК излучение слоев расположен между одним или более диэлектрическими слоями, и каждый из отражающих ИК излучение слоев является активируемым с использованием двухстадийной обработки, причем
первая стадия обработки включает в себя воздействия источников света фотонами в профилях импульсного света, выбранных так, чтобы преимущественно передавать энергию отражающим ИК излучение слоям, исходя из их соответствующих уровней поглощения,
вторая стадия обработки включает в себя воздействие температур свыше 400 градусов Цельсия вслед за формированием отражающих ИК излучение слоев; и
осуществление по меньшей мере первой стадии обработки для каждого из отражающих ИК излучение слоев.
24. Способ по п. 23, при этом первую стадию осуществляют всякий раз, когда непосредственно или опосредовано на подложке осажден один из отражающих ИК излучение слоев, и перед тем, как будет осажден следующий отражающий ИК излучение слой.
25. Способ по п. 23, при этом первую стадию осуществляют после того, как осаждены все отражающие ИК излучение слои, причем отражающие ИК излучение слои получают энергию, преимущественно передаваемую им из-за воздействий источников света с разными профилями импульсного света.
26. Способ по п. 23, при этом первую стадию осуществляют после того, как осаждены все отражающие ИК излучение слои, и при этом один или более отражающих ИК излучение слоев активируют, используя первый источник импульсного света, предусмотренный под подложкой, и один или более других отражающих ИК излучение слоев активируют, используя второй источник импульсного света, предусмотренный над подложкой.
27. Покрытое изделие, содержащее:
стеклянную подложку; и
многослойное тонкопленочное низкоэмиссионное покрытие, поддерживаемое подложкой,
при этом низкоэмиссионное покрытие включает в себя множество отражающих инфракрасное (ИК) излучение слоев, содержащих серебро и осажденных распылением при комнатной температуре, причем каждый из отражающих ИК излучение слоев расположен между одним или более диэлектрическими слоями, и каждый из отражающих ИК излучение слоев был активирован с использованием двухстадийной обработки,
при этом первая стадия обработки включает в себя воздействия источников света фотонами в профилях импульсного света, выбранных так, чтобы преимущественно передавать энергию отражающим ИК излучение слоям, исходя из их соответствующих уровней поглощения,
при этом вторая стадия обработки включает в себя воздействие температур свыше 400 градусов Цельсия вслед за формированием отражающих ИК излучение слоев; и
при этом коэффициент эмиссии покрытия составляет 0,011 или менее.
28. Система для формирования покрытого изделия, содержащая:
распылительный аппарат, управляемый с возможностью формировать на стеклянной подложке многослойное тонкопленочное низкоэмиссионное покрытие, содержащее множество отражающих инфракрасное (ИК) излучение слоев, содержащих серебро и осаждаемых распылением при комнатной температуре, причем каждый из отражающих ИК излучение слоев располагается между одним или более диэлектрическими слоями; и
по меньшей мере один источник импульсного света, управляемый с возможностью осуществлять предварительное кондиционирование отражающих ИК излучение слоев посредством воздействия на них фотонов, используя профили импульсного света, выбранные так, чтобы преимущественно передавать энергию отражающим ИК излучение слоям, исходя из их соответствующих уровней поглощении, причем профили импульсного света используют энергии фотонов 0,82-3,55 эВ и являются достаточными для переупорядочивания атомов серебра в отражающих ИК излучение слоях в более энергетически выгодные положения, не вызывая при этом чрезмерной агломерации,
при этом коэффициент эмиссии покрытия может быть дополнительно уменьшен посредством воздействия последующего термического процесса.
29. Система по п. 28, дополнительно содержащая печь, выполненную с возможностью нагрева подложки с предварительно кондиционированными отражающими ИК излучение слоями на ней до температуры по меньшей мере 400 градусов Цельсия и уменьшения коэффициента эмиссии покрытия до 0,011 или менее.
30. Система по любому из пп. 28-29, при этом упомянутый по меньшей мере один источник импульсного света выполнен с возможностью управления им так, чтобы работать:
(a) всякий раз, когда непосредственно или опосредованно на подложке осажден один из отражающих ИК излучение слоев, и перед тем, как на ней будет осажден следующий отражающий ИК излучение слой, или
(b) после того, как на подложке осаждены все отражающие ИК излучение слои, причем отражающие ИК излучение слои получают энергию, преимущественно передаваемую им из-за воздействий источников света с разными профилями импульсного света.
