Буферный слой для структуры переднего электрода в фотоэлектрическом приборе или ему подобном - RU2009137906A

Реферат

1. Фотоэлектрический прибор, содержащий: ! переднюю стеклянную подложку; ! активную полупроводниковую пленку; ! электропроводящий и, по существу, прозрачный передний электрод, находящийся между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; и ! буферную пленку, содержащую оксид олова, находящуюся между передним электродом и полупроводниковой пленкой. ! 2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка непосредственно контактирует и с передним электродом, и с полупроводниковой пленкой. ! 3. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка имеет работу выхода по меньшей мере 4,3 эВ. ! 4. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка, содержащая оксид олова, легирована Sb. ! 5. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка составляет от примерно 100 до 1000 Å в толщину. ! 6. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка составляет от примерно 150 до 600 Å в толщину. ! 7. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором, по существу, прозрачный передний электрод содержит один или более из: оксида индия-олова, оксида цинка, оксида цинка-алюминия и/или оксида индия-цинка. ! 8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка состоит по существу из оксида олова, который может быть необязательно легирован Sb. ! 9. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка является проводящей и, по существу, прозрачной. ! 10. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка является менее проводящей и значит имеет большее удельное сопротивление, чем передний электрод. ! 11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит CdS