Блок многослойного покрытия, содержащий слой барьерного покрытия - RU2006138480A

Реферат

1. Состав покрытия, содержащий,

по крайней мере, один разрушаемый слой; и,

по крайней мере, один слой барьерного покрытия,

в котором проницаемость по отношению к кислороду, по крайней мере, одного слоя барьерного покрытия не превосходит 10 г на м² за день при температуре 482°С (900F).

2. Состав покрытия по п.1, в котором, по крайней мере, один слой барьерного покрытия представляет собой единственный слой, содержащий один или несколько оксидов металлов, выбранных из оксида алюминия и оксида кремния, и их смесей.

3. Состав покрытия по п.2, в котором, по крайней мере, один слой барьерного покрытия представляет собой смесь, сплав или комбинацию оксида алюминия и диоксида кремния, распыляемых с мишени, содержащей 60 мас.% алюминия и 40 мас.% кремния.

4. Состав покрытия по п.2, в котором, по крайней мере, один слой барьерного покрытия имеет толщину до 2 мкм.

5. Состав покрытия по п.1, в котором, по крайней мере, один слой барьерного покрытия представляет собой многослойное покрытие, содержащее первый слой, выбираемый из диоксида кремния, оксида алюминия и их смесей, нанесенный на второй слой, выбираемый из диоксида кремния, оксида алюминия и их смесей.

6. Состав покрытия по п.1, в котором, по крайней мере, один разрушаемый слой представляет собой материал, который отражает электромагнитное излучение, выбранный из ряда: золото, серебро, проводящий нитрид и их смеси.

7. Состав покрытия по п.6, в котором, по крайней мере, один разрушаемый слой является серебром.

8. Состав покрытия по п.7, в котором состав покрытия дополнительно включает первый и второй слои диэлектрического материала и, по крайней мере, один слой грунта и, кроме того, разрушаемый слой представляет собой, по крайней мере, часть первого слоя диэлектрического материала, по крайней мере, один слой грунта является, по крайней мере, частью разрушаемого слоя, второй слой диэлектрического материала является, по крайней мере, частью, по крайней мере, одного слоя грунта и, по крайней мере, один слой барьерного покрытия является, по крайней мере, частью второго слоя диэлектрического материала.

9. Состав покрытия по п.8, в котором первый и второй слои диэлектрического материала выбирают из оксида индия и олова, оксида титана, оксида цинка, оксида олова, их смесей и их сплавов.

10. Состав покрытия по п.8, в котором толщина и первого и второго слоев диэлектрического материала находится в пределах от 100 до 800 Е.

11. Состав покрытия по п.8, в котором толщина слоя материала, отражающего электромагнитное излучение, находится в пределах от 50 до 300 Е.

12. Состав покрытия по п.8, в котором толщина, по крайней мере, одного слоя грунта находится в пределах от 10 до 30 Е.

13. Состав покрытия по п.12, в котором, по крайней мере, один слой грунта выбирают из титана, меди, алюминия, ниобия, иттрия, циркония, гафния, хрома, их смесей и их сплавов, сплава никеля и хрома, сплава кобальта и хрома, недокиси индия и олова, недокиси титана, недокиси цинка и алюминия, нитрида кремния и их смесей.

14. Состав покрытия по п.6, в котором разрушаемый слой представляет собой слой проводящего нитрида.

15. Состав покрытия по п.14, в котором в состав покрытия дополнительно включает слой прозрачного, проводящего оксида.

16. Состав покрытия по п.15, в котором, по крайней мере, один разрушаемый слой является, по крайней мере, частью слоя прозрачного, проводящего оксида и, по крайней мере, один слой барьерного покрытия является, по крайней мере, частью, по крайней мере, одного разрушаемого слоя.

17. Состав покрытия по п.15, в котором слой прозрачного, проводящего оксида является, по крайней мере, частью, по крайней мере, одного разрушаемого слоя и слой барьерного покрытия является, по крайней мере, частью прозрачного, проводящего оксида.

18. Состав покрытия по п.16, в котором слой прозрачного, проводящего оксида выбирают из ряда: оксид олова, легированный фтором, оксид индия и олова, оксид цинка и алюминия и их смеси.

19. Состав покрытия по п.16, в котором толщина слоя прозрачного, проводящего оксида находится в пределах от 1 до 2500 Е.

20. Состав покрытия по п.16, в котором слой проводящего нитрида выбирают из ряда: нитрид титана, нитрид циркония и их смеси.

21. Состав покрытия по п.16, в котором толщина слоя проводящего нитрида находится в пределах от 10 до 500 Е.

22. Состав покрытия по п.16, в котором толщина, по крайней мере, одного слоя барьерного покрытия равна, по меньшей мере, 100 Е.

23. Подложка с покрытием, включающая

подложку;

покрытие, по крайней мере, на части указанной подложки, содержащее,

по крайней мере, один разрушаемый слой; и,

по крайней мере, один слой барьерного покрытия,

в котором проницаемость по отношению к кислороду, по крайней мере, одного слоя барьерного покрытия не превосходит 10 г на м² за день при температуре 482°С (900F).

24. Подложка с покрытием по п.23, в которой, по крайней мере, один слой барьерного покрытия представляет собой единственный слой, содержащий один или несколько оксидов металлов, выбираемых из оксида алюминия и оксида кремния, и их смесей.

25. Подложка с покрытием по п.24, в которой, по крайней мере, один слой барьерного покрытия представляет собой смесь, сплав или комбинацию оксида алюминия и диоксида кремния, распыляемых с мишени, содержащей 60 мас.% алюминия и 40 мас.% кремния.

26. Подложка с покрытием по п.23, в которой слой барьерного покрытия имеет толщину до 2 мкм.

27. Подложка с покрытием по п.24, в которой, по крайней мере, один разрушаемый слой представляет собой материал, который отражает электромагнитное излучение, и выбранный из ряда: золото, серебро, проводящий нитрид и их смеси.

28. Подложка с покрытием по п.27, в которой, по крайней мере, один разрушаемый слой является серебром.

29. Подложка с покрытием по п.27, в которой состав покрытия дополнительно включает первый и второй слои диэлектрического материала и, по крайней мере, один слой грунта и, кроме того, первый слой диэлектрического материала перекрывает, по крайней мере, часть подложки, по крайней мере, один разрушаемый слой перекрывает, по крайней мере, часть первого слоя диэлектрического материала, по крайней мере, один слой грунта перекрывает, по крайней мере, часть, по меньшей мере, одного разрушаемого слоя, второй слой диэлектрического материала перекрывает, по крайней мере, часть, по меньшей мере, одного слоя грунта и, по крайней мере, один слой барьерного покрытия перекрывает, по крайней мере, часть второго слоя диэлектрического материала.

30. Подложка с покрытием по п.29, в которой первый и второй слои диэлектрического материала выбирают из оксида индия и олова, оксида титана, оксида цинка, оксида олова, их смесей и их сплавов.

31. Подложка с покрытием по п.29, в которой толщина и первого и второго слоев диэлектрического материала находится в пределах от 100 до 800 Е.

32. Подложка с покрытием по п.29, в которой толщина слоя материала, отражающего электромагнитное излучение, находится в пределах от 50 до 300 Е.

33. Подложка с покрытием по п.29, в которой толщина, по крайней мере, одного слоя грунта находится в пределах от 10 до 30 Е.

34. Подложка с покрытием по п.33, в которой, по крайней мере, один слой грунта выбирают из титана, меди, алюминия, ниобия, иттрия, циркония, гафния, хрома, их смесей и их сплавов, сплава никеля и хрома, сплава кобальта и хрома, недокиси индия и олова, недокиси титана, недокиси цинка и алюминия, нитрида кремния и их смесей.

35. Подложка с покрытием по п.27, в которой, по крайней мере, один разрушаемый слой представляет собой слой проводящего нитрида.

36. Подложка с покрытием по п.35, в которой покрытие дополнительно включает слой прозрачного проводящего оксида.

37. Подложка с покрытием по п.36, в которой, по крайней мере, один разрушаемый слой перекрывает, по крайней мере, часть слоя прозрачного проводящего оксида и, по крайней мере, один слой барьерного покрытия перекрывает, по крайней мере, часть, по крайней мере, одного разрушаемого слоя.

38. Подложка с покрытием по п.37, в которой слой прозрачного, проводящего оксида выбирают из ряда: оксид олова, легированный фтором, оксид индия и олова, оксид цинка и алюминия и их смеси.

39. Подложка с покрытием по п.37, в которой толщина слоя прозрачного, проводящего оксида находится в пределах от 1 до 2500 Е.

40. Подложка с покрытием по п.36, в которой слой проводящего нитрида выбирают из ряда: нитрид титана, нитрид циркония и их смеси.

41. Подложка с покрытием по п.37, в которой толщина, по крайней мере, одного слоя проводящего нитрида находится в пределах от 10 до 500 Е.

42. Подложка с покрытием по п.37, в которой толщина, по крайней мере, одного слоя барьерного покрытия равна, по меньшей мере, 100.

43. Подложка с покрытием по п.23, в которой подложку выбирают из ряда, содержащего пластик, металл, керамику, плитку, стекло и их комбинации.

44. Подложка с покрытием по п.43, в которой подложка представляет собой стекло.

45. Подложка с покрытием по п.44, в которой стекло является стеклом для остекления автомобиля.

46. Подложка с покрытием, содержащая

подложку;

первый слой диэлектрического материала, содержащий станнат цинка и расположенный на подложке;

первый разрушаемый слой, содержащий серебро и расположенный, по крайней мере, на части первого слоя диэлектрического материала;

первый слой грунта, содержащий оксид титана и расположенный, по крайней мере, на части первого разрушаемого слоя;

второй слой диэлектрического материала, содержащий станнат цинка и расположенный, по крайней мере, на части первого слоя грунта;

второй разрушаемый слой, содержащий серебро и расположенный, по крайней мере, на части второго слоя диэлектрического материала;

второй слой грунта, содержащий оксид титана и расположенный, по крайней мере, на части второго разрушаемого слоя;

третий слой диэлектрического материала, содержащий станнат цинка и расположенный, по крайней мере, на части второго слоя грунта;

третий разрушаемый слой, содержащий серебро и расположенный, по крайней мере, на части третьего слоя диэлектрического материала; и

третий слой грунта, содержащий оксид титана и расположенный, по крайней мере, на части третьего разрушаемого слоя;

четвертый слой диэлектрического материала, содержащий станнат цинка и расположенный, по крайней мере, на части третьего слоя грунта; и

слой барьерного покрытия, содержащий смесь, сплав или комбинацию оксида алюминия и оксида кремния, распыляемых с мишени, содержащей 60 мас.% алюминия и 40 мас.% кремния, и который расположен, по крайней мере, на части четвертого слоя диэлектрического материала;

где проницаемость по отношению к кислороду одного слоя барьерного покрытия не превосходит 10 г на м² за день при температуре 482°С (900F).

47. Подложка с покрытием по п.46, в которой толщина первого, второго, третьего и четвертого слоев диэлектрического материала составляет от 100 до 800 Е.

48. Подложка с покрытием по п.46, в которой толщина первого, второго, третьего и четвертого слоев грунта составляет от 10 до 18 Е.

49. Подложка с покрытием по п.46, в которой толщина первого, второго и третьего разрушаемого слоев составляет от 50 до 300 Е.

50. Способ изготовления подложки с многослойным покрытием, включающий следующие операции:

нанесение разрушаемого слоя покрытия на подложку, и

нанесение слоя барьерного покрытия на разрушаемый слой покрытия,

при этом проницаемость по отношению к кислороду одного слоя барьерного покрытия не превосходит 10 г на м² за день при температуре 482°С (900F).

51. Способ по п.50, дополнительно содержащий операцию нанесения дополнительных слоев покрытия на разрушаемый слой покрытия до нанесения слоя барьерного покрытия.

52. Способ по п.50, дополнительно включающий нанесение дополнительного слоя барьерного покрытия на подложку до нанесения разрушаемого слоя покрытия.

53. Способ по п.50, в котором слой барьерного покрытия является последним слоем покрытия, наносимым на подложку.

54. Способ по п.50, дополнительно включающий нанесение дополнительных слоев покрытия после нанесения слоя барьерного покрытия.