Способ вакуумного напыления - RU2006141003A

Реферат

1. Способ вакуумного напыления по меньшей мере одного тонкого слоя на подложку, в частности стеклянную подложку, отличающийся тем, что выбирают по меньшей мере одно газообразное распыляющее вещество, являющееся химически неактивным или активным по отношению к распыляемому материалу; создают коллимированный пучок ионов, содержащий преимущественно упомянутое распыляющее вещество, с помощью по меньшей мере одного линейного ионного источника, размещенного внутри установки промышленного размера; направляют упомянутый пучок на по меньшей мере одну мишень на основе распыляемого материала; и размещают по меньшей мере один участок поверхности упомянутой подложки напротив упомянутой мишени таким образом, что упомянутый материал, распыляемый при ионной бомбардировке мишени, или материал, получаемый в результате реакции упомянутого распыляемого материала с по меньшей мере одним из распыляющих веществ, осаждается на упомянутый участок поверхности.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют относительное перемещение ионного источника напыления и подложки.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что линейный ионный источник создает коллимированный пучок ионов с энергией в диапазоне от 0,2 до 10 кэВ, предпочтительно от 1 до 5 кэВ, в частности вблизи 1,5 кэВ.

4. Способ по п.2, отличающийся тем, что линейный ионный источник создает коллимированный пучок ионов с энергией в диапазоне от 0,2 до 10 кэВ, предпочтительно от 1 до 5 кэВ, в частности вблизи 1,5 кэВ.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в установке создают давление в диапазоне от 10^-5 до 8·10^-3 торр.

6. Способ по п.2, отличающийся тем, что в установке создают давление в диапазоне от 10^-5 до 8·10^-3 торр.

7. Способ по п.3, отличающийся тем, что в установке создают давление в диапазоне от 10^-5 до 8·10^-3 торр.

8. Способ по п.4, отличающийся тем, что в установке создают давление в диапазоне от 10^-5 до 8·10^-3 торр.

9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что пучок ионов и мишень образуют угол α в диапазоне от 90° до 30°, предпочтительно от 60° до 45°.

10. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что напыление осуществляют одновременно или последовательно на два различных участка поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного ионного источника напыления.

11. Способ по п.9, отличающийся тем, что напыление осуществляют одновременно или последовательно на два различных участка поверхности подложки с помощью, по меньшей мере, упомянутого линейного ионного источника напыления.

12. Способ по любому из пп.1-8, 11, отличающийся тем, что в дополнение к упомянутому распыляющему веществу вводят вспомогательное вещество, которое является химически активным по отношению к упомянутому распыляемому материалу.

13. Способ по п.9, отличающийся тем, что в дополнение к упомянутому распыляющему веществу вводят вспомогательное вещество, которое является химически активным по отношению к упомянутому распыляемому материалу.

14. Способ по п.10, отличающийся тем, что в дополнение к упомянутому распыляющему веществу вводят вспомогательное вещество, которое является химически активным по отношению к упомянутому распыляемому материалу.

15. Способ по п.12, отличающийся тем, что упомянутое вспомогательное вещество получают в результате подачи газа, содержащего это вспомогательное вещество, например, в непосредственной близости от подложки.

16. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутое вспомогательное вещество получают в результате подачи газа, содержащего это вспомогательное вещество, например, в непосредственной близости от подложки.

17. Способ по п.14, отличающийся тем, что упомянутое вспомогательное вещество получают в результате подачи газа, содержащего это вспомогательное вещество, например, в непосредственной близости от подложки.

18. Способ по любому из пп.1-8, 11, 13-17, отличающийся тем, что на мишень подают напряжение смещения с тем, чтобы регулировать энергию распыляющего вещества.

19. Способ по п.9, отличающийся тем, что на мишень подают напряжение смещения с тем, чтобы регулировать энергию распыляющего вещества.

20. Способ по п.10, отличающийся тем, что на мишень подают напряжение смещения с тем, чтобы регулировать энергию распыляющего вещества.

21. Способ по п.12, отличающийся тем, что на мишень подают напряжение смещения с тем, чтобы регулировать энергию распыляющего вещества.

22. Способ по любому из пп.1-8, 11, 13-17, 19-21, отличающийся тем, что в непосредственной близости от ионного источника напыления размещают устройство-нейтрализатор ионов, необязательно образованное близлежащим катодом магнетрона.

23. Способ по п.9, отличающийся тем, что в непосредственной близости от ионного источника напыления размещают устройство-нейтрализатор ионов, необязательно образованное близлежащим катодом магнетрона.

24. Способ по п.10, отличающийся тем, что в непосредственной близости от ионного источника напыления размещают устройство-нейтрализатор ионов, необязательно образованное близлежащим катодом магнетрона.

25. Способ по п.12, отличающийся тем, что в непосредственной близости от ионного источника напыления размещают устройство-нейтрализатор ионов, необязательно образованное близлежащим катодом магнетрона.

26. Способ по п.18, отличающийся тем, что в непосредственной близости от ионного источника напыления размещают устройство-нейтрализатор ионов, необязательно образованное близлежащим катодом магнетрона.

27. Способ по п.22, отличающийся тем, что находящуюся под напряжением смещения мишень прикрепляют к катоду магнетрона.

28. Способ по любому из пп.23-26, отличающийся тем, что находящуюся под напряжением смещения мишень прикрепляют к катоду магнетрона.

29. Способ по любому из пп.1-8, 11, 13-17, 19-21, 23-27, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

30. Способ по п.9, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

31. Способ по п.10, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

32. Способ по п.12, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

33. Способ по п.18, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

34. Способ по п.22, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

35. Способ по п.28, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют по меньшей мере один линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и по меньшей мере один катод магнетрона.

36. Способ по любому из пп.1-8, 11, 13-17, 19-21, 23-27, 30-35, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

37. Способ по п.9, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

38. Способ по п.10, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

39. Способ по п.12, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

40. Способ по п.18, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

41. Способ по п.22, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

42. Способ по п.28, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

43. Способ по п.29, отличающийся тем, что в одном и том же отделении камеры напыления объединяют линейный ионный источник, пучок ионов которого направлен на мишень, и другой ионный источник, пучок которого направлен на слой, получаемый в результате распыления мишени.

44. Подложка, в частности, стеклянная подложка, по меньшей мере один участок поверхности которой покрыт пакетом тонких слоев, содержащим чередование n функциональных слоев А со свойствами отражения в инфракрасном диапазоне и/или диапазоне солнечного излучения на основе, в частности, серебра и (n+1) покрытий В при n≥1, причем упомянутые покрытия В содержат слой или совокупность расположенных поверх друг друга слоев из диэлектрического материала на основе, в частности, нитрида кремния или смеси кремния и алюминия, либо оксинитрида кремния, либо оксида цинка, либо оксида олова, либо оксида титана, так что каждый функциональный слой А размещен между двумя покрытиями В, отличающаяся тем, что по меньшей мере один из слоев покрытия В напылен способом по любому из пп.1-43.

45. Подложка, в частности, стеклянная подложка, по меньшей мере один участок поверхности которой покрыт пакетом тонких слоев, содержащим чередование n функциональных слоев А со свойствами отражения в инфракрасном диапазоне и/или диапазоне солнечного излучения на основе, в частности, серебра и (n+1) покрытий В при n≥1, причем упомянутые покрытия В содержат слой или совокупность расположенных друг поверх друга слоев из диэлектрического материала, так что каждый функциональный слой А размещен между двумя покрытиями В, отличающаяся тем, что по меньшей мере один из слоев покрытия А напылен способом по любому из пп.1-43.

46. Подложка, в частности, стеклянная подложка, по меньшей мере один участок поверхности которой покрыт пакетом тонких слоев, содержащим чередование n функциональных слоев А со свойствами отражения в инфракрасном диапазоне и/или диапазоне солнечного излучения на основе, в частности, серебра и (n+1) покрытий В при n≥1, причем упомянутые покрытия В содержат слой или совокупность расположенных друг поверх друга слоев из диэлектрического материала на основе, в частности, нитрида кремния или смеси кремния и алюминия, либо оксинитрида кремния, либо оксида цинка, либо оксида олова, либо оксида титана, так что каждый функциональный слой А размещен между двумя покрытиями В, отличающаяся тем, что пакет также содержит по меньшей мере один металлический слой С в видимом диапазоне, в частности, на основе титана, никеля-хрома, циркония, необязательно азотированный или оксидированный, расположенный выше и/или ниже функционального слоя, причем упомянутый слой С напылен способом по любому из пп.1-43.

47. Подложка, в частности, стеклянная подложка, имеющая на по меньшей мере одной из своих лицевых поверхностей зеркальное или антиотражательное покрытие в видимом диапазоне или инфракрасном диапазоне солнечного излучения, образованное пакетом (А) тонких слоев из диэлектрических материалов с чередующимися высоким и низким показателями преломления, отличающаяся тем, что по меньшей мере один из этих слоев напылен способом по любому из пп.1-43.

48. Подложка, в частности, стеклянная подложка, имеющая на по меньшей мере одной из своих лицевых поверхностей пакет тонких слоев, содержащий по меньшей мере один слой, который напылен способом по любому из пп.1-43 и у которого шероховатость/напряжения/плотность дефектов/степень кристалличности/принцип рассеяния света был(а)/были изменен(а)/изменены относительно пакета, содержащего только слои, напыленные магнетронным распылением.

49. Подложка, в частности, стеклянная подложка, имеющая на по меньшей мере одной из своих лицевых поверхностей пакет тонких слоев, содержащий по меньшей мере один крайний слой, назначением которого является изменение поверхностной энергии или изменение коэффициента трения, отличающаяся тем, что упомянутый крайний слой напылен способом по любому из пп.1-43.

50. Подложка по любому из пп.44-49, отличающаяся тем, что она представляет собой подложку, предназначенную для автомобильной промышленности, в частности, прозрачный люк в крыше автомобиля, боковое стекло, ветровое стекло, заднее стекло, зеркало заднего вида, или предназначенное для зданий одинарное или двойное остекление, в частности внутреннее или наружное остекление для зданий, витрина, магазинный прилавок, который может быть изогнутым, остекление для защиты объекта типа картины, антибликовый экран, стеклянная мебель, необязательно содержащая фотоэлектрическую систему, экран визуализации, подоконная стенка, противообрастающая система.