Поддающееся термообработке изделие с покрытием, имеющее отражающие ик-излучение слои на основе нитрида циркония и оксида индия-олова - RU2019129499A
Код документа: RU2019129499A
Формула
1. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, на стеклянной подложке;
первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого отражающего ИК–излучение слоя, содержащего ITO;
второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим нитрид циркония;
второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК–излучение слоя, содержащего нитрид циркония;
причем покрытие не содержит отражающего ИК–излучение слоя на основе серебра;
причем покрытие имеет нормальную излучательную способность (En) не более 0,30;
и
при этом изделие с покрытием имеет: пропускание видимого света от около 15 до 80%, отражение видимого света со стороны пленки не более 15%, значение SHGC не более 0,45, значение a* при отражении со стороны стекла от –14,0 до +1,6 и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,10.
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором покрытие содержит только два отражающих ИК–излучение слоя.
3. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между первым и вторым отражающими ИК–излучение слоями и непосредственно контактирует с ними.
4. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, содержит ZrNx, где x составляет от 0,8 до 1,2.
5. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, содержит ZrNx, где x составляет от 0,9 до 1,1.
6. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором второй отражающий ИК–излучение слой содержит 0–8% кислорода (атомные %).
7. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй отражающий ИК–излучение слой содержит 0–5% кислорода (атомные %).
8. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором покрытие дополнительно содержит другой диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, размещенный между стеклянной подложкой и первым отражающим ИК–излучение слоем и контактирующий с ними.
9. Изделие с покрытием по п. 8, в котором другой диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, дополнительно содержит кислород.
10. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором второй отражающий ИК–излучение слой состоит по существу из нитрида циркония.
11. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором покрытие дополнительно содержит внешний слой, содержащий оксид циркония.
12. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, причем изделие с покрытием имеет: пропускание видимого света от около 20 до 70% и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,17.
13. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, причем изделие с покрытием имеет отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,25.
14. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, имеющее отражение видимого света со стороны пленки не более 12%.
15. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, имеющее отражение видимого света со стороны пленки не более 10%.
16. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором стеклянная подложка представляет собой прозрачную стеклянную подложку.
17. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, имеющее значение a* при отражении со стороны стекла от –10 до +1,6 и значение a* при отражении со стороны пленки от –15 до +15.
18. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором один или более из диэлектрических слоев, содержащих нитрид кремния, дополнительно содержат кислород и допированы алюминием.
19. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, представляющее собой монолитное окно.
20. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, имеющее значение SHGC не более 0,40 при измерении в монолите.
21. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, имеющее значение SHGC не более 0,33 при измерении в монолите.
22. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, имеет толщину 100–950 Å, а второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, имеет толщину 50–450 Å.
23. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, имеет толщину 300–800 Å, и/или второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, имеет толщину 130–300 Å.
24. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, физически толще, чем второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, по меньшей мере на 100 Å.
25. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, физически толще, чем второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, по меньшей мере на 300 Å.
26. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, на стеклянной подложке;
первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого отражающего ИК–излучение слоя, содержащего ITO;
второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим нитрид циркония;
второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК–излучение слоя, содержащего нитрид циркония;
причем покрытие не содержит отражающего ИК–излучение слоя на основе серебра;
причем покрытие имеет нормальную излучательную способность (En) не более 0,30; и
при этом изделие с покрытием имеет: пропускание видимого света от около 15 до 80% и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,17.
27. Изделие с покрытием по п. 26, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, физически толще, чем второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, по меньшей мере на 100 Å.
28. Изделие с покрытием по любому из пп. 26–27, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, физически толще, чем второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, по меньшей мере на 300 Å.
29. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, на стеклянной подложке;
первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх первого отражающего ИК–излучение слоя, содержащего ITO, и непосредственно контактирующий с ним;
второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, на стеклянной подложке поверх первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, и непосредственно контактирующий с ним, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между первым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим нитрид циркония, и непосредственно контактирует с ними;
второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх второго отражающего ИК–излучение слоя, содержащего нитрид циркония, и непосредственно контактирующий с ним;
причем покрытие не содержит отражающего ИК–излучение слоя на основе серебра;
причем покрытие имеет нормальную излучательную способность (En) не более 0,30;
и
при этом изделие с покрытием имеет пропускание видимого света от около 15 до 80%.
30. Изделие с покрытием по п. 29, имеющее: отражение видимого света со стороны пленки не более 15%, значение SHGC не более 0,45, значение a* при отражении со стороны стекла от –14,0 до +1,6 и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,10.
31. Изделие с покрытием по любому из пп. 29–30, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, физически толще, чем второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, по меньшей мере на 100 Å.
32. Изделие с покрытием по любому из пп. 29–31, в котором первый отражающий ИК–излучение слой, содержащий ITO, физически толще, чем второй отражающий ИК–излучение слой, содержащий нитрид циркония, по меньшей мере на 300 Å.
33. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, включающий:
распылительное нанесение первого отражающего ИК–излучение слоя, содержащего ITO, на стеклянную подложку;
распылительное нанесение первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере первого отражающего ИК–излучение слоя, содержащего ITO;
распылительное нанесение второго отражающего ИК–излучение слоя, содержащего нитрид циркония, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК–излучение слоем, содержащим нитрид циркония;
распылительное нанесение второго диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере первого и второго отражающих ИК–излучение слоев таким образом, что покрытие не содержит отражающего ИК–излучение слоя на основе серебра, покрытие имеет нормальную излучательную способность (En) не более 0,30, и изделие с покрытием имеет: (i) пропускание видимого света от около 15 до 80%, (ii) отражение видимого света со стороны пленки не более 15%, (iii) значение SHGC не более 0,45, (iv) значение a* при отражении со стороны стекла от –14,0 до +1,6 и (v) отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,10.
