Формула
1. Способ получения многослойной подложки для светоизлучающего устройства, содержащий, по меньшей мере, следующие этапы:
обеспечения стеклянной подложки (1), обладающей показателем преломления, при 550 нм, 1,45-1,65,
нанесения стеклофритты (3), обладающей показателем преломления, при 550 нм, по меньшей мере, 1,7, на упомянутую стеклянную подложку (1), причем упомянутая стеклофритта содержит, по меньшей мере, 30 мас.% Bi2O3,
обжига полученной стеклянной подложки с нанесенной стеклофриттой при температуре выше температуры Литлтона для стеклофритты, с образованием, таким образом, первого (4) слоя эмали с высоким показателем преломления,
нанесения слоя (2) оксида металла на упомянутый первый слой эмали с высоким показателем преломления, и
обжига результирующей покрытой стеклянной подложки при температуре выше температуры Литлтона для стеклофритты, составляющей 530-620°C, что, таким образом, заставляет оксид металла (2) реагировать с нижележащим первым (4) слоем эмали с высоким показателем преломления, и формирования второго (5) слоя эмали с высоким показателем преломления, с множеством сферических пустот (6), внедренных в верхний участок второго слоя эмали с высоким показателем преломления вблизи границы раздела с воздухом.
2. Способ по п. 1, в котором слой оксида металла обладает толщиной 5-60 нм, предпочтительно, 10-40 нм, более предпочтительно, 15-30 нм.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором оксид металла выбран из группы, состоящей из TiO2, Al2O3, ZrO2, Nb2O5, HfO2, Ta2O5, WO3, Ga2O3, In2O3 и SnO2 и их смесей.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором показатель преломления стеклофритты составляет 1,70-2,20, предпочтительно, 1,80-2,10.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором стеклофритта содержит, по меньшей мере, 50 мас.%, предпочтительно, по меньшей мере, 60 мас.% Bi2O3.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором этапы обжига (c) и (e) осуществляют при температуре, составляющей 540-600°C.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, дополнительно содержащий (f) нанесение прозрачного электропроводящего слоя (TCL) (8) на второй (5) слой эмали с высоким показателем преломления.
8. Многослойная подложка, получаемая способом по любому из предыдущих пунктов, содержащая:
стеклянную подложку (1), обладающую показателем преломления 1,45-1,65,
(ii) слой (5) стеклянной эмали с высоким показателем преломления, обладающий показателем преломления, при 550 нм, по меньшей мере, 1,7, и содержащий, по меньшей мере, 30 мас.% Bi2O3,
характеризующаяся тем, что множество сферических пустот (6) внедрены в слой (5) эмали с высоким показателем преломления вблизи его поверхности, по меньшей мере, 95%, предпочтительно, по меньшей мере, 99%, и более предпочтительно, по существу все сферические пустоты имеют диаметр, значительно меньший, чем половина толщины слоя (5) эмали с высоким показателем преломления и расположенны в верхней половине слоя эмали с высоким показателем преломления вблизи границы раздела (7) с воздухом.
9. Многослойная подложка по п. 8, в которой сферические пустоты обладают средним эквивалентным сферическим диаметром 0,2-8 мкм, предпочтительно, 0,4-4 мкм, более предпочтительно, 0,5-3 мкм.
10. Многослойная подложка по п. 8 или 9, в которой толщина второго слоя эмали с высоким показателем преломления составляет 3-25 мкм, предпочтительно, 4-20 мкм, а более предпочтительно, 5-15 мкм.
11. Многослойная подложка по любому из пп. 8-10, дополнительно содержащая (iii) прозрачный электропроводящий слой (8) на слое (5) эмали с высоким показателем преломления.
12. Многослойная подложка по любому из пп. 8-11, в которой сферические пустоты занимают, по меньшей мере, 20% поверхности и по большей мере, 80% поверхности области, ранее покрытой оксидом металла.