Код документа: RU2237029C2
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике.
Известно халькогенидное стекло, содержащее Ga, Ge, S, обладающее повышенной областью прозрачности (а.с. СССР 1629264, С 03 С 3/32, опубл. 23.02.91).
В указанном стекле не предусмотрено преобразование инфракрасного излучения в видимое.
В основу изобретения положена задача создания халькогенидного стекла, обладающего свойством преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение при одновременном сохранении области прозрачности люминесцентного халькогенидного стекла за счет введения в состав стекла А1, Вr, B, Er, Ln.
Это достигается тем, что в состав стекла для преобразования инфракрасного излучения в видимое в состав халькогенидного стекла вводят 1-5 ат. % Еr; при этом для повышения эффективности преобразования в состав стекла также вводят 1-15 ат. % Ln и 1-8 ат. % Al; для компенсации потери прозрачности в стекло вводят 1-6 ат. % В, 1-15 ат. % Вr, 1-5 ат. % Si.
В таблицах 1 и 2 приведены конкретные составы халькогенидного стекла и оцениваемые параметры стекла.
В табл. 2 λо (мкм) - длина волны коротковолновой границы пропускания стекла, n - коэффициент преломления стекла, Тg (°С) - температура размягчения стекла, η (%) - эффективность преобразования длинноволнового излучения в коротковолновое.
Температурный режим синтеза соответствует традиционной технологии варки халькогенидных стекол. Особенностью является выдержка расплава при 750-850°С, последующее охлаждение на воздухе до 250°С и отжиг при этой температуре в течение 3-10 часов.
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике. В основу изобретения положена задача создания халькогенидного стекла, обладающего свойством преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение при одновременном сохранении области прозрачности люминесцентного халькогенидного стекла за счет введения в состав стекла Al, Br, B, Er, Ln. Халькогенидное стекло имеет следующий состав, ат.%: Si 1-5, Al 1-8, Br 1-15, В 1-6, Ln 1-15, Er 1-5, Ge 10-25, Ga 3-20, S 54-70. 2 табл.