Светодиодное отверждение радиационно отверждаемых покрывных композиций оптических волокон - RU2012123751A

Реферат

1. Радиационно отверждаемая покрывная композиция для оптического волокна, где композиция способна претерпевать фотополимеризацию при нанесении на оптическое волокно и при облучении светом светоизлучающего диода (СИД), у которого длина волны составляет от 100 до 900 нм, и образовывать отвержденное покрытие на оптическом волокне, причем указанное отвержденное покрытие имеет верхнюю поверхность, указанное отвержденное покрытие, имеющее процентное прореагировавшее акрилатное ненасыщение (% ПАН) на верхней поверхности, составляющее 60% или более.2. Радиационно отверждаемая покрывная композиция по п.1, где излучение светоизлучающего диода (СИД) имеет длину волны, составляющую 100 - 300; 300 - 475 или 475 - 900 нм.3. Радиационно отверждаемая покрывная композиция по п.1, где указанная композиция включает:(a) по меньшей мере, один уретан(мет)акрилатный олигомер;(b) по меньшей мере, один реакционноспособный растворяющий мономер; и(c) по меньшей мере, один фотоинициатор.4. Радиационно отверждаемая покрывная композиция по п.3, в которой фотоинициатор представляет собой фотоинициатор типа I.5. Радиационно отверждаемая покрывная композиция по п.3, в которой фотоинициатор представляет собой фотоинициатор типа II, и композиция включает донор водорода.6. Радиационно отверждаемая покрывная композиция по п.1, в которой покрывная композиция выбрана из группы, которую составляют первичная покрывная композиция, вторичная покрывная композиция, красящая покрывная композиция, буферная покрывная композиция, матричная покрывная композиция, и оболочечная покрывная композиция.7. Радиационно отверждаемая покрывная композиция по любому из пп.1-6, в которой, п