Код документа: SU579242A1
1
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол и может быть использовано в электронике и ИК-технике .
Известно полупроводниковое халькогенидное стекло, содержащее мышьяк, теллур, таллий с удельным сопротивлением от 6-10 - 4,5-10 ом.см. l .
Наиболее близким к изобретению является стекло, содержащее в ат. % те -55- 90; As - 7-33; Си - 3-15 2j
Недостатком этих халькогенидных полупроводниковых стекол является то, что они включают мышьяк, который, во-первых, легко окисляется на воздухе и поэтому шихтование производят непосредственно перед плавкой или в инертной среде, во-вторых, продукты окисления мышьяка и соединений его, входящих в стекло, и высокотоксичны.
Целью изобретения является снижение способности к окислению исходных компонентов и уменьшение токсичности продуктов окисления самого стекла,
Это достигается . тем, что в иавес ный состав, содержащий теллур и медь, введен германий при следующем соотношении компонентов, вес.%: германий 6-12; теллур - 82-90; медь - 3/9.
Синтез предложенного стекла осуществляется следующим образом,
Исходные компоненты: германий (удельное сопротивление 50 ом.см.), теллур и медь (В-3) помещают в кварцевую ампулу. Исходные вещества сплавляют в пламени газовой кислородной горелки или в электрической печи при температуре 900 С в течение 30 мин при интенсивном перемешивании. Полученный расплав закаляют в холодной воде.
Конкретные примеры составов разработанного халькогенидного стекла и их свойства приведены в таблице.
Стекла имеют высокую кристаллизационную способность, устойчивы к растворам кислот и щелочей, прозрачны в ИК-области спектра.
При приготовлении прехцюженных
халькогенидных стекол упрощается тех нология подготовки шихты, улучшаются условия труда, снижаются затраты по технике безопасности при получении
стекла и его дальнейшей эксплуатации,
3
5,8
7 g 5,9 6,0
4-10
0,5
133 5-10 0,3
135 10 0,2 130