Способ получения оксида ниобия - RU2003133662A

Реферат

1. Анод конденсатора, содержащий оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5 и сформованный при формующем напряжении приблизительно 6 В или выше, и имеющий утечку по ПТ менее 15 нА/мкФ·В, причем указанная утечка по ПТ определена для анода, спеченного при 1500°С в течение 10 минут и сформованного при формующем напряжении 60 В.

2. Анод конденсатора по п.1, у которого указанная утечка по ПТ составляет менее 12 нА/мкФ·В.

3. Анод конденсатора по п.1, у которого указанная утечка по ПТ составляет менее 6 нА/мкФ·В.

4. Анод конденсатора по п.1, у которого указанная утечка по ПТ составляет менее 2 нА/мкФ·В.

5. Анод конденсатора по п.1, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO.

6. Анод конденсатора по п.1, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO, обедненный кислородом NbO, металлический ниобий с NbO или их комбинации.

7. Анод конденсатора, содержащий оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5 и сформованный при формующем напряжении приблизительно 6 В или выше и имеющий емкость 40000 мкФ·В/г или выше при температуре спекания от приблизительно 1200 до приблизительно 1600°С в течение 10 минут и при температуре формования 85°С.

8. Анод конденсатора по п.7, у которого указанная емкость составляет от приблизительно 40000 до приблизительно 60000 мкФ·В/г.

9. Анод конденсатора по п.7, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO.

10. Анод конденсатора по п.7, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO, обедненный кислородом NbO, металлический ниобий с NbO или их комбинации.

11. Анод конденсатора, содержащий оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5 и сформованный при формующем напряжении приблизительно 6 вольт или выше, и имеющий емкость 20000 мкФ·В/г или выше, причем указанная емкость определена при температуре спекания 1300°С в течение 10 минут и при температуре формования 85°С.

12. Анод конденсатора по п.11, у которого указанная емкость составляет от приблизительно 20000 мкФ·В/г до приблизительно 60000 мкФ·В/г.

13. Анод конденсатора по п.11, у которого указанное напряжение формования составляет от приблизительно 20 до приблизительно 80 В.

14. Анод конденсатора по п.11, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO.

15. Анод конденсатора по п.11, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO, обедненный кислородом NbO, металлический ниобий с NbO или их комбинации.

16. Анод конденсатора, содержащий оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5, причем порошок, образующий анод конденсатора, имеет скорость горения менее 5 мм/с.

17. Анод конденсатора по п.16, у которого указанная скорость горения составляет 2 мм/с или менее.

18. Анод конденсатора по п.16, у которого указанная скорость горения составляет от приблизительно 1 до приблизительно 5 мм/с.

19. Анод конденсатора, содержащий оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5 и имеющий минимальную энергию воспламенения 100 мДж или более.

20. Анод конденсатор по п.19, у которого указанная минимальная энергия воспламенения составляет 500 мДж или более.

21. Анод конденсатора по п.19, у которого указанная минимальная энергия воспламенения составляет менее 10 Дж.

22. Анод конденсатора по п.19, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO.

23. Анод конденсатора по п.19, в котором указанный оксид ниобия представляет собой NbO, обедненный кислородом NbO, металлический ниобий с NbO или их комбинации.

24. Способ формования анода конденсатора, содержащего оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5, который включает в себя формование указанного оксида ниобия в форме анода и спекание при температуре от приблизительно 1200 до приблизительно 1600°С в течение времени от приблизительно 1 до приблизительно 30 минут; анодирование при напряжении от приблизительно 16 до приблизительно 75 В при формующей температуре приблизительно 85°С; отжиг указанного анода при температуре от приблизительно 300 до приблизительно 350°С в течение времени от приблизительно 10 до приблизительно 60 минут; и обработку марганцем указанного анода при температуре от приблизительно 220 до приблизительно 280°С.

25. Способ по меньшей мере частичного восстановления оксида ниобия, включающий в себя тепловую обработку исходного оксида ниобия в присутствии материала-газопоглотителя в атмосфере, обеспечивающей возможность переноса атомов кислорода из исходного оксида ниобия к материалу-газопоглотителю, в течение достаточного времени и при достаточной температуре для того, чтобы исходный оксид ниобия и указанный материал-газопоглотитель образовали оксид ниобия с пониженным содержанием кислорода.

26. Способ по п.25, в котором указанный материал-газопоглотитель представляет собой порошок ниобия.

27. Способ по п.25, в котором указанный оксид ниобия с пониженным содержанием кислорода представляет собой NbO.

28. Способ по п.25, в котором указанный оксид ниобия с пониженным содержанием кислорода представляет собой NbO, обедненный кислородом NbO, металлический ниобий с NbO или их комбинации.

29. Способ по п.25, в котором указанная атмосфера представляет собой содержащую водород атмосферу.

30. Способ по п.25, в котором указанная атмосфера представляет собой водород.

31. Способ по п.25, в котором указанная тепловая обработка протекает при температуре от приблизительно 800 до приблизительно 1900°С в течение времени от приблизительно 5 до приблизительно 100 минут.

32. Способ получения оксидов ниобия с пониженным содержанием кислорода, который включает в себя один или несколько описанных выше способов.

33. Способ формования анода конденсатора, содержащего оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5, который включает в себя формование указанного оксида ниобия в форме анода и спекание при температуре от приблизительно 800 до 1200°С в течение времени от приблизительно 1 до приблизительно 10 часов; анодирование при напряжении от приблизительно 16 до приблизительно 75 В при формующей температуре приблизительно 85°С; отжиг указанного анода при температуре от приблизительно 300 до приблизительно 350°С в течение времени от приблизительно 10 до приблизительно 60 минут; и обработку марганцем указанного анода при температуре от приблизительно 220 до приблизительно 280°С.

34. Способ формования анода конденсатора, содержащего оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5, который включает в себя формование указанного оксида ниобия в форме анода и спекание при температуре от приблизительно 800 до приблизительно 1200°С в течение времени, достаточного для формования анода конденсатора.

35. Способ по п.34, в котором указанное время составляет от приблизительно 1 часа или менее до приблизительно 10 часов или более.

36. Способ по п.34, в котором указанное время составляет от приблизительно 1 до приблизительно 4 часов.

37. Способ по п.34, в котором указанная температура спекания составляет от приблизительно 900 до приблизительно 1200°С.

38. Способ по п.34, в котором указанная температура спекания составляет от приблизительно 1000 до приблизительно 1100°С.

39. Способ достижения низкой усадки анода конденсатора, который включает в себя формование анода конденсатора, содержащего оксид ниобия, имеющий атомное отношение ниобия к кислороду 1:менее 2,5, формование указанного оксида ниобия в форме анода и спекание при температуре от приблизительно 800 до приблизительно 1200°С в течение времени, достаточного для формования анода конденсатора, имеющего емкость.

40. Способ по п.34, в котором указанное время составляет 1 день или более.