Высокочистый порошковый диоксид кремния, способ и устройство для его получения - RU2004130850A

Реферат

1. Порошковый диоксид кремния с общим содержанием примесей менее 500 част./млрд.

2. Порошковый диоксид кремния с общим содержанием примесей менее 150 част./млрд.

3. Порошковый диоксид кремния по п.1, отличающийся тем, что общее содержание в нем примесей составляет менее 150 част./млрд, из которых на долю Си приходится менее 1 част./млрд, на долю Fe приходится менее 25 част./млрд, на долю Ni приходится менее 2 част./млрд, на долю Сг приходится менее 2 част./млрд, на долю Ti приходится менее 3 част./млрд, на долю А1 приходится менее 31 част./млрд, на долю Са приходится менее 65 част./млрд, на долю Mg приходится менее 12 част./млрд, на долю Na приходится менее 12 част./млрд, на долю К приходится менее 6 част./млрд и на долю Li приходится менее 1 част./млрд, при этом порошковый диоксид кремния не содержит углерод.

4. Порошковый диоксид кремния по п.1, 2 или 3, отличающийся тем, что он представляет собой дымообразный порошковый диоксид кремния с удельной поверхностью, определяемой методом Браунауэра-Эммета-Теллера по адсорбции азота, от 50 до 300 м²/г, предпочтительно от 150 до 250 м²/г.

5. Порошковый диоксид кремния по п.1, 2 или 3, отличающийся тем, что он представляет собой сплавленный порошковый диоксид кремния со средней крупностью частиц от 100 нм до 200 мкм, предпочтительно от 1 до 200 мкм, наиболее предпочтительно от 5 до 40 мкм.

6. Порошковый диоксид кремния по п.5, отличающийся тем, что он характеризуется узкими пределами гранулометрического состава при величине D(95)-D(5), равной менее 50 мкм, предпочтительно при величине D(95)-D(5), равной менее 35 мкм.

7. Порошковый диоксид кремния по п.5 или 6, отличающийся тем, что он имеет сферическую морфологию и представлен в полностью остеклованном виде.

8. Способ получения порошкового диоксида кремния по одному из пп.1-4, при осуществлении которого высокочистый дымообразный порошковый диоксид кремния получают путем гидролиза высокочистого SiCl₄ в пламени, отличающийся тем, что SiCl₄ подвергают гидролизу в пламени в устройстве с не содержащей металл поверхностью.

9. Способ получения порошкового диоксида кремния по одному из пп.5-7, при осуществлении которого высокочистый сплавленный порошковый диоксид кремния получают путем спекания высокочистого дымообразного порошкового диоксида кремния, отличающийся тем, что дымообразный порошковый диоксид кремния подвергают спеканию в устройстве с не содержащей металл поверхностью.

10. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что его осуществляют в условиях чистого помещения.

11. Способ по п.10, отличающийся тем, что его осуществляют в условиях чистого помещения с классом чистоты от 100000 до 1, предпочтительно от 10000 до 100, наиболее предпочтительно 1000.

12. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что его осуществляют при давлении от 0,913 до 1,513 бар, предпочтительно от 1,013 до 1,413 бар, наиболее предпочтительно от 1,020 до 1,200 бар.

13. Сопло горелки, содержащее наружную трубку и расположенную внутри нее внутреннюю трубку, отличающееся тем, что внутренняя трубка выполнена из кремнийсодержащего материала с кремнием в качестве основного компонента.

14. Плазменная горелка, содержащая сопло для подачи порошка, промежуточную трубку и наружную трубку, отличающаяся тем, что поверхность сопла для подачи порошка, промежуточной трубки и наружной трубки выполнена из кремнийсодержащего материала с кремнием в качестве основного компонента.

15. Устройство для получения порошкового диоксида кремния по одному из пп.1-7, отличающееся тем, что все его контактирующие с порошковым диоксидом кремния поверхности не содержат металлы.