Способ получения полупроводниковых наночастиц, заканчивающихся стабильным кислородом - RU2011137638A
Код документа: RU2011137638A
Реферат
1. Способ получения неорганических полупроводниковых наночастиц, имеющих стабильную поверхность, в котором:подготавливают неорганический полупроводниковый материал; иперемалывают сыпучий полупроводниковый материал в присутствии выбранного восстанавливающего агента, химическим путем восстанавливающего оксиды одного или нескольких составных элементов полупроводникового материала, образующихся при размоле, или предотвращающего образование подобных оксидов, будучи преимущественно окисленным, итем самым получают полупроводниковые наночастицы неорганического сыпучего полупроводникового материала, имеющие стабильную поверхность, обеспечивающую электрический контакт между наночастицами.2. Способ по п.1, в котором поверхности наночастиц заканчиваются монослоем субстехиометрического оксида или индивидуальным кислородом, водородом и гидроксильными группами, которые завершают активные центры.3. Способ по п.1, в котором восстанавливают стабильный стехиометрический оксид одного или более составного элемента полупроводникового материала или предотвращают его образование с помощью предпочтительной химической реакции.4. Способ по п.1, в котором восстанавливают промежуточный субстехиометрический оксид одного или более составного элемента полупроводникового материала или предотвращают его образование с помощью предпочтительной химической реакции, препятствуя таким образом образованию конечной стабильной стехиометрической фазы оксида.5. Способ по п.3 или 4, в котором предпочтительную химическую реакцию промотируют путем осуществления размола при температуре выше комнатной и ниже температуры плав�
