Способ производства оксидного сверхпроводника, способ производства проволоки из оксидного сверхпроводника и сверхпроводниковое устройство - RU2006139745A
Код документа: RU2006139745A
Реферат
1. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника, причем способ включает следующие стадии:
(a) ионизация материала, содержащего атом для составления оксидного сверхпроводника, в растворе;
(b) путем удаления растворителя с помощью распыления раствора в первой газовой среде с получением порошка, содержащего атом для составления оксидного сверхпроводника; и
(c) охлаждение порошка во второй газовой среде, в которую вводится охлаждающий газ;
причем концентрация диоксида углерода во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя; концентрация оксида азота во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя; концентрация водяного пара во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя.
2. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, в котором стадия производства порошка включает следующие шаги:
(b1) распыление раствора вместе с распыляющим газом; и
(b2) перенос раствора из первой газовой среды во вторую газовую среду, используя транспортирующий газ;
причем объемный расход всего газа, составленного соединением распыляющего газа, транспортирующего газа и охлаждающего газа, по меньшей мере в 10000 раз больше объемного расхода раствора.
3. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, в котором стадия производства порошка включает следующие шаги:
(b1) распыление раствора вместе с распыляющим газом; и
(b2) перенос раствора из первой газовой среды во вторую газовую среду, используя транспортирующий газ;
причем концентрация водяного пара во второй газовой среде не более 10 об. %.
4. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, в котором стадия производства порошка включает следующие шаги:
(b1) распыление раствора вместе с распыляющим газом, и
(b2) перенос раствора из первой газовой среды во вторую газовую среду, используя транспортирующий газ;
причем выполняется соотношение 0,1 (с) ≤ V/(q1+q2) ≤ 20 (с)
где q1 (л/с) - это объемный расход газа первой газовой среды, образованного соединением распыляющего газа и транспортирующего газа,
q2 (л/с) - это объемный расход газа, получаемого из раствора, и
V (л) - это объем первой газовой среды.
5. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, в котором стадия производства порошка включает следующие шаги:
(b1) распыление раствора вместе с распыляющим газом; и
(b2) перенос раствора из первой газовой среды во вторую газовую среду, используя транспортирующий газ;
причем концентрация водяного пара и в распыляющем газе, и в транспортирующем газе, и в охлаждающем газе не более 1 об. %.
6. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, в котором стадия производства порошка включает следующие шаги:
(b1) распыление раствора вместе с распыляющим газом; и
(b2) перенос раствора из первой газовой среды во вторую газовую среду, используя транспортирующий газ;
причем концентрация диоксида углерода и в распыляющем газе, и в транспортирующем газе, и в охлаждающем газе не более 30 об. ч./млн.
7. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, причем способ дополнительно включает шаг термической обработки порошка после шага охлаждения порошка.
8. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.7, в котором
(a) далее предусмотрен шаг, на котором порошок охлаждается немедленно после его термической обработки;
(b) и шаг термической обработки порошка, и шаг охлаждения порошка немедленно после его термической обработки проводятся в аппарате термической обработки; и
(c) концентрация водяного пара не более 1 об.% в каждой из следующих газовых сред:
(c1) газовая среда в аппарате термической обработки во время введения порошка в аппарате термической обработки;
(c2) газовая среда в аппарате термической обработки во время термической обработки порошка;
(c3) газовая среда в аппарате термической обработки во время охлаждения порошка; и
(c4) газовая среда в аппарате термической обработки во время извлечения порошка из аппарата термической обработки.
9. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.7, в котором
(a) далее предусмотрен шаг, на котором порошок охлаждается немедленно после его термической обработки,
(b) и шаг термической обработки порошка, и шаг охлаждения порошка немедленно после его термической обработки проводятся в аппарате термической обработки; и
(c) концентрация диоксида углерода не более 30 об. ч./млн в каждой из следующих газовых сред:
(c1) газовая среда в аппарате термической обработки во время введения порошка в аппарате термической обработки;
(c2) газовая среда в аппарате термической обработки во время термической обработки порошка;
(c3) газовая среда в аппарате термической обработки во время охлаждения порошка; и
(c4) газовая среда в аппарате термической обработки во время извлечения порошка из аппарата термической обработки.
10. Способ производства материала из оксидного сверхпроводника по п.1, в котором раствор является раствором азотной кислоты.
11. Способ производства проволоки из оксидного сверхпроводника, причем способ включает следующие шаги:
(a) производство материала из оксидного сверхпроводника с использованием способа производства материала из оксидного сверхпроводника, включающего следующие шаги:
(а1) ионизация материала, содержащего атом для составления оксидного сверхпроводника, в растворе;
(а2) получение порошка, содержащего атом для составления оксидного сверхпроводника, путем удаления растворителя с помощью распыления раствора в первой газовой среде; и
(а3) охлаждение порошка во второй газовой среде, в которую вводится охлаждающий газ;
причем концентрация диоксида углерода во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя;
концентрация оксида азота во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя;
концентрация водяного пара во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя;
и (b) производство оксидной сверхпроводящей проволоки с использованием материала из оксидного сверхпроводника.
12. Устройство на оксидных сверхпроводниках, содержащее оксидную сверхпроводящую проволоку, полученную с использованием способа производства оксидной сверхпроводящей проволоки, включающего шаги:
(a) производство материала из оксидного сверхпроводника с использованием способа производства материала из оксидного сверхпроводника, включающего следующие шаги:
(а1) ионизация материала, содержащего атом для составления оксидного сверхпроводника, в растворе;
(а2) получение порошка, содержащего атом для составления оксидного сверхпроводника, путем удаления растворителя с помощью распыления раствора в первой газовой среде; и
(а3) охлаждение порошка во второй газовой среде, в которую вводится охлаждающий газ;
причем концентрация диоксида углерода во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя;
концентрация оксида азота во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя;
концентрация водяного пара во второй газовой среде ниже, чем в первой газовой среде, которая содержит удаленные компоненты растворителя;
и (b) производство оксидной сверхпроводящей проволоки с использованием материала из оксидного сверхпроводника.
